镀膜工艺:1.AL2O3+H4+AL2O3+H4+AL2O3+H4+MGF2(高温镀膜:320度,无IAD,有这种现状)
])3lH%4- 2.SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2+OS50+SIO2(高温镀膜:120度,IAD,有这种现状)
HCfS)` ?Xy w<fMQ \1eKY^)2 D>!v_v6 6i*p
+S?U" !nZI? z ; 镀膜要求:440-660nmRabs<0.3% AOI:5°
/zDSlj<c 镀膜下机确认无这种现象,放置24H后,表面开始吸附东西。