一、镀膜技术可区分为哪几类? c|
可区分为:(1)真空蒸镀 (2)电镀 (3)化学反应 (4)热处理 (5)物理或机械处理 Cb~_{$ A
二、蒸镀的加热方式包括哪几种?各具有何特点? v}XMFC !
加热方式分为: +@ga
(1)电阻加热 (2)感应加热 (3)电子束加热 (4)雷射加热 (5)电弧加热 7E*d>:5I
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各具有的特点: &x
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(1)电阻加热:这是一种最简单的加热方法,设备便宜、操作容易是其优点。 hg_@Ui@[z
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(2)感应加热:加热效率佳,升温快速,并可加热大容量。 5(R ./
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(3)电子束加热:这种加热方法是把数千eV之高能量电子,经磁场聚焦,直接撞击蒸发物加热,温度可以高达30000C。而它的电子的来源有二:高温金属产生的热电子,另一种电子的来源为中空阴极放电。 V`sINX
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(4)雷射加热:激光束可经由光学聚焦在蒸镀源上,产生局部瞬间高温使其逃离。最早使用的是脉冲红宝雷射,而后发展出紫外线准分子雷射。紫外线的优点是每一光子的能量远比红外线高,因此准分子雷射的功率密度甚高,用以加热蒸镀的功能和电子束类似。常被用来披覆成份复杂的化合物,镀膜的品质甚佳.它和电子束加热或溅射的过程有基本上的差异,准分子雷射脱离的是微细的颗粒,后者则是以分子形式脱离。 7SO i9JU_
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(5)电弧加热: jHBzZ!<
阴极电弧沉积的优点为: {gT2G*Ed^Z
(1)蒸镀速率快,可达每秒1.0微米 T2|dFKeWG
(2)基板不须加热 %;$zR}
(3)可镀高温金属及陶瓷化合物 %g1:yx
(4)镀膜密高且附着力佳 K;Qlg{v
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三、真空蒸镀可应用在哪些产业? 2x%Xx3!
主要产业大多应用于装饰、光学、电性、机械及防蚀方面等,现就比较常见者分述如下: ]f#1G$
1.镜片的抗反射镀膜(MgO、MgF2、SiO2等),镜片置于半球支顶,一次可镀上百片以上。 OPHf9T3H
2.金属、合金或化合物镀膜,应用于微电子当导线、电阻、光电功能等用途。 q^NI
3.镀铝或钽于绝缘物当电容之电极。 BM9J/24
4.特殊合金镀膜MCrAlY具有耐热性抗氧化性,耐温达1100OC,可应用须耐高温环境的工件,如高速切削及成形加工、涡轮引擎叶片等。 'au7rX(
5.镀金属于玻璃板供建筑物之装饰及防紫外线。 rvrv[^a(
6.离子蒸镀镀铝,系以负高电压加在被镀件上,再把铝加热蒸发,其蒸气经由电子撞击离子化,然后镀到钢板上。 qP=4D
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7.镀铝于胶膜,可供装饰或标签,且镀膜具有金属感等。最大的用途就是包装,可以防潮、防空气等的渗入。 ^GMM%
8.机械零件或刀磨具镀硬膜(TiC、TiN、Al2O3)这些超硬薄膜不但硬度高,可有效提高耐磨性,而且所需厚度剪小,能符合工件高精度化的要求。 {+r0Nikx_
9.特殊合金薄片之制造。
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10.镀多层膜于钢板,改善其性能。 ',`GdfAsH
11.镀硅于CdS太阳电池,可增加其效率。 ?Ho~6q8O@
12.奈米粉末之制造,镀于冷基板上,使其不附着。 F*Lm=^:
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四、TiN氮化钛镀膜具有哪些特点? d/oxRzk'L
有以下的优点: +72[*_ <
(1)抗磨损 &cy@Be}|T
(2)具亮丽的外观 |]FJfMX
(3)具安全性,可使用于外科及食品用具。 y!JZWq%=
(4)具润滑作用,可减少磨擦。 KtH-QQDluj
(5)具防蚀功能 GR6BpV7
(6)可承受高温 6bj.z
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五、CVD化学气相沉积法反应步骤可区分为哪五个步骤? x
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(1)不同成份气相前置反应物由主流气体进来,以扩散机制传输基板表面。理想状况下,前置物在基板上的浓度是零,亦即在基板上立刻反应,实际上并非如此。 ?VVtEmIN
(2)前置反应物吸附在基板上,此时仍容许该前置物在基板上进行有限程度的表面横向移动。 G1K72M}CW
(3)前置物在基板上进行化学反应,产生沉积物的化学分子,然后经积聚成核、迁移、成长等步骤,最后联合一连续的膜。 \H
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(4)把多余的前置物以及未成核的气体生成物去吸附。 a?&{eMEe}
(5)被去吸附的气体,以扩散机制传输到主流气相,并经传送排出。 .[YM0dt
六、何为化学气相蒸镀(CVD)?主要的优缺点有哪些? 5`] ;[M9
化学气相蒸镀乃使用一种或多种气体,在一加热的固体基材上发生化学反应,并镀上一层固态薄膜。 lU6?p")F1
优点: Wc]L43u
(1)真空度要求不高,甚至可以不需要真空,例如热喷覆 n
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(2)沉积速率快,大气CVD可以达到1μm/min aLzRbRv
(3)与PVD比较的话。化学量论组成或合金的镀膜较容易达成 OX|nYTp
(4)镀膜的成份多样化,如金属、非金属、半导体、光电材料、钻石薄膜 )y8 u+5^
(5)可以在复杂形状的基材镀膜,甚至渗入多孔的陶瓷 yn &+ >{
(6)厚度的均匀性良好,低压CVD甚至可以同时镀数十芯片 0V:7pSC{P
缺点: Ej|rf Y
(1)热力学及化学反应机制不易了解或不甚了解 )q#1C]7m*
(2)需要在高温下进行,有些基材不能承受,甚至和镀膜产生作用 7ip$#pzo
(3)反应气体可能具腐蚀性、毒性或爆炸性,处理时需小心 rO#WG}E<"
(4)反应生成物可能残余在镀膜上,成为杂质 HHd;<% q
(5)基材的遮蔽很难 .8[Uk^q
七、良好的薄膜须具备那些特性?影响的因素有哪些? =/_tQR~
通俗的定义为在正常状况下,其应用功能不会失效。想要达到这个目的,一般而言这层薄膜必须具有坚牢的附着力、很低的内应力、针孔密度很少、够强的机械性能、均匀的膜厚、以及足够的抗化学侵蚀性。薄膜的特性主要受到沉积过程、成膜条件、接口层的形成和基材的影响,随后的热处理亦扮演重要角色。 9k5$rK`
八、沉积的薄膜有内应力的存在,其来源为何? jN.'%5Q?H
(1)薄膜和基材之间的晶格失配 0A$x'pU)
(2)薄膜和基材之间的热膨胀系数差异 Z.:g8Xl-6
(3)晶界之间的互挤 /"$A?}V
九、膜厚的量测方法有哪些? OB-gH3:
大致上可分为原位量测、离位量测两类 CVo2?ZQ
原位星测系指镀膜进行中量测,普遍使用在物理气相沉积,如微天平、光学、电阻量测。 (- ]A1WQ?
离位量测系指镀膜完成后量测,对电镀膜的行使较为普遍,具有了解电镀效率的目的,如质量、剖面计、扫描式电子显微镜。 c& &^Do
十、何为物理蒸镀?试简述其步骤? 4rpx
物理蒸镀就是把物质加热挥发,然后将其蒸气沉积在预定的基材上。由于蒸发源须加热挥发,又是在真空中进行,故亦称为热蒸镀或真空蒸镀。 Pr|:nJs
其可分为三个步骤 ){'Ef_/R
(1)凝态的物质被加热挥发成汽相 ^P)W/2
(2)蒸汽在具空中移动一段距离至基材 6;|6@j
(3)蒸汽在基材上冷却凝结成薄膜