主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: Y{J/Oib • 定义MMI耦合器的材料; rg P$\xn- • 定义布局设定; Az.Y-O<$\ • 创建一个MMI耦合器; i3Ffk+ |b • 插入输入面; {QhvHV • 运行模拟; E? FPxs • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 U2bb|6j =tog<7 1. 定义MMI耦合器的材料 Aa1 |{^$:L 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: *v8 ]99N 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ "?N`9J|j)~ qrdA?VV 图1.初始性能对话框
c~tkY!c 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” t^7R6y kQH!`-n:T 图2.轮廓设计窗口
e~-Dk .i 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 1fC|_V(0
95H`-A 6?KsH;L9 图3.电介质材料创建窗口
vfo[<" 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 5Pr<%}[S^ − Name : Guide Et- .[ − Refractive Index (Re) : 3.3 wo_FM
`@ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 sF|$oyDE oS`F Yy 图4.创建Guide材料
bqe;) A7 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: MP3E]T~: − Name : Cladding ec3('}X − Refractive Index (Re) : 3.27 v\HGL56T − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 =9)ypI-2 qQom=x 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 p,4z;.s$
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: D~%cf − Name : Guide_Channel W5x]bl# − 2D profile definition: Guide (Q'XjN\# − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 pH*L8tT
*%fOE;-? 图6.构建通道
2. 定义布局设定 YJ"gm]Pm
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: JZ c5U}i
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 Y0b.utR&
− Width:2.8 ]c5Shj5|p
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 OIoAqt
− Profile:Channel-Guide o?X\,}-s
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
5(F!*6i>
.:;i*
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: -meKaQv
− Length:5300 {-E{.7
− Width:60 T[7DJNdG6
图8.设置晶圆尺寸
e@q[Dv'mu
Fj5^_2MU:
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: %\^x3wP&o\
− Material:Cladding *i\7dJ Dj
− 点击OK以激活布局窗口 1XZ&X]
图9.晶圆材料设置
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)V>FU=
4) 布局窗口 D!-zQ`^
图10.默认情况下布局窗口显示
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0}b8S48|?
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: @&~BGh
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 *;}! WDr
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 yy>4`_
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 {66vdAu&h<
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 H,?MG
图12.最终布局显示
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XkNi'GJf
3. 创建一个MMI耦合器 {:rU5 !n
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: XRz.R/
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 lz>5bR'
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 G)putk@
图13 .绘制第一个线性波动
L,l+1`Jz
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l >O]Cpt