主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: yDBMm^ • 定义MMI耦合器的材料; ?O#,|\v?] • 定义布局设定; H}&4#CQ'! • 创建一个MMI耦合器; RB/;qdqR • 插入输入面; 3!KEk?I] • 运行模拟; 1jQlwT(: • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 }h`ddo \dc*!Es 1. 定义MMI耦合器的材料 AoN|&o 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: m^ [VM&% 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ /kK:{ sBm/9vu 图1.初始性能对话框
V(6ovJpA0 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” LDv>hzo +%RB&:K7, 图2.轮廓设计窗口
!V;glx[ 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 [+Y;w`;Fq
,*'aH z *Wz\FixP0 图3.电介质材料创建窗口
qx\P(dOUf 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: :~+m9r − Name : Guide -axV;+"b − Refractive Index (Re) : 3.3 uNRT@@oCq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 14;lB.$p F
{T\UX 图4.创建Guide材料
:\8&Th}Se 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: naB`@ − Name : Cladding hO}nc$S − Refractive Index (Re) : 3.27 5Dlx]_ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 $>y Di8;Tq 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ^5d9n<_xnQ
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: TdH~sz − Name : Guide_Channel 4 Z< − 2D profile definition: Guide \H5{[ZUn − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 sOLR *=F{ PFnq:G^L 图6.构建通道
2. 定义布局设定 Kw^tvRt'*
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: j>t*k!db
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 8cyC\Rs
− Width:2.8 "sU ~|
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 '=eE6=m^K
− Profile:Channel-Guide =3?"s(9
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
0al8%z9e@
[v$NxmRu
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: +4%:q~C
− Length:5300 Jf=$h20x
− Width:60 eEG]JH
图8.设置晶圆尺寸
PofHe
wam-=3W
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: %/x%hs;d
− Material:Cladding Bpw<{U
− 点击OK以激活布局窗口 ]/{987
图9.晶圆材料设置
+B0G[k7
!HP/`R
4) 布局窗口 {<3>^ o|"
图10.默认情况下布局窗口显示
h*GU7<F:a
$"&U%3
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: 8fwM)DKS
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 #Qp.O@e
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 M :Aik&
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 W=k%aB?p
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 /Aq):T T
图12.最终布局显示
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h8MkfHH7{
3. 创建一个MMI耦合器 TGJ\f
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: @.fyOyOC
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Qb;5:U/x
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 br9`77J8
图13 .绘制第一个线性波动
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