主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: JQdeI+ • 定义MMI耦合器的材料; cd-;?/ • 定义布局设定; w}:&+B: • 创建一个MMI耦合器; 3B6"T;_ • 插入输入面; \NTNB9>CO • 运行模拟; {klyVb • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 9+"\7MHw YjTA+1} 1. 定义MMI耦合器的材料 =3R5m>6!/ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: YLAGTH0.] 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ go[(N6hN n>##,o|Vr# 图1.初始性能对话框
dxwH C\"5 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” ??g `c=R!V j ?gscQ3 图2.轮廓设计窗口
k2t#O%_f 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Kulh:d:w
4&a,7uVer DAHQ7#qfQC 图3.电介质材料创建窗口
Lr ;PESV 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: tw?\bB − Name : Guide [T>a}}@ − Refractive Index (Re) : 3.3 pQ/
bIuq − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 _=d
X01 1~_&XNb& 图4.创建Guide材料
M>kk"tyM 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Rb=8(# − Name : Cladding @!MhVNS_< − Refractive Index (Re) : 3.27 MDqUl:] − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 'V-_3WWxU ?RI&7699+ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 A=a~ [vre
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: V/@?KC0B5 − Name : Guide_Channel CTOrBl$70 − 2D profile definition: Guide \Tii
S − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 hJIF!eoI 6*Y>Y&sea 图6.构建通道
2. 定义布局设定 &:MfLDJ
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: 6;^ e
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 PRi3=3oF
− Width:2.8 ]%8f-_fSy
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 `*to(
)
− Profile:Channel-Guide (bBr O74lR
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
oY$L
``j8T[g
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: 7\e96+j|f
− Length:5300 g\O&gNq<)-
− Width:60 ^>H+#@R
图8.设置晶圆尺寸
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KG
48 | u{
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: +CF"Bm8@
− Material:Cladding j^&{5s
− 点击OK以激活布局窗口 |Vq&IfP
图9.晶圆材料设置
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{95u^S=
4) 布局窗口 fL7u419=
图10.默认情况下布局窗口显示
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<GthJr>1D
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: N)rf/E0
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 3jG
#<4;J
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 _s> ZY0
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 ygz6 ~(
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 c'8a)j$$+
图12.最终布局显示
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eJm7}\/6`
3. 创建一个MMI耦合器 XA%a7Xtni
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: _a e&@s1
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 3{;W!/&>
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 d|, B* N(w
图13 .绘制第一个线性波动
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%j*i=
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