主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: #}gc6T~0 • 定义MMI耦合器的材料; W=b5{
6 • 定义布局设定; J'7Oxjlg • 创建一个MMI耦合器; +`4|,K7' • 插入输入面; R'3i { 1 • 运行模拟; C&SYmYj^c • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 6SmSu\lgV *?8Q:@: 1. 定义MMI耦合器的材料 qzLRA.#f^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: F0yh7MItV 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ H;CGLis _Nj;Ni2rD 图1.初始性能对话框
PFc02 w 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Fivv#4YO v3/cNd3 图2.轮廓设计窗口
UxW>hbzr&V 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 dYsqF
3f
UO&S6M]v7 $`Ou * 图3.电介质材料创建窗口
JrQN-e! 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: s 2$R2, − Name : Guide 7OZs~6( − Refractive Index (Re) : 3.3 w_-{$8| − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 E8nqExQ k-89( 图4.创建Guide材料
RsY<j& f 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: -8o8lz − Name : Cladding qV}zV\Nz − Refractive Index (Re) : 3.27 0Icyi#N − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 + ]__zm/^ N7E[wOP 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 }C'z$i( y
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: ,Bta) − Name : Guide_Channel mrJQB I+ − 2D profile definition: Guide a@7we=! − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 k/LV=e7 $nVTN.k 图6.构建通道
2. 定义布局设定 Wb|IWnH$
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: z!1j8o2
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 _zOzHc? Q
− Width:2.8 )O}x&@Q
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 ^GbyA YEp
− Profile:Channel-Guide $0 li"+
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
DB*IVg
$HH(8NoL
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: &o8\ $A
− Length:5300 n8iN/Y<%U
− Width:60 FVSz[n
图8.设置晶圆尺寸
5~sJ$5<,
XGUF9arN
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: bH=5[
− Material:Cladding jeW0;Cz
J~
− 点击OK以激活布局窗口 $$8"i+,K
图9.晶圆材料设置
N\vc<Zpn
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4) 布局窗口 GJW1|Fk
图10.默认情况下布局窗口显示
m xWaXb
+Q'/c0o
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: [A3hrSw
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 +28FB[W
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 O,bj_CW x
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 /yI~(8bO
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Bb1dH/8
图12.最终布局显示
W=|B3}C?
|mKd5[$
3. 创建一个MMI耦合器 RuHJk\T+
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: G U!XD!!&
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 8n'C@#{WV
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 YsTfv1~z#
图13 .绘制第一个线性波动
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