主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： %KNnss} • 定义MMI耦合器的材料； wx pD{P • 定义布局设定； /%}+FMj • 创建一个MMI耦合器； E+V^5Z:u • 插入输入面； '{XDh K • 运行模拟； =[(1u|H 9 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 {YWj` K
Qi2yaEB 1. 定义MMI耦合器的材料 <ro0}%-z>M 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： is?`tre\P 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ 62rTGbDbx K"VphKvR 图1.初始性能对话框
C$ oY,A, 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” )u ]J`.OA k( <5tv d 图2.轮廓设计窗口
* c7kB}/ 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 VJBV k8P
xB3;%Lc <(`dU&&%"} 图3.电介质材料创建窗口
epj]n=/}[ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： [VI dw 92 − Name : Guide meu\j g − Refractive Index (Re) : 3.3 -"u}lCz> − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 *XS@K u _IOeO 图4.创建Guide材料
pBiC 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： W+BM|'%}| − Name : Cladding }M?G qA= − Refractive Index (Re) : 3.27 9=@j]g| − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 #9O
*@ " jn@S- 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 EAxg>}'1j
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： ~ 6.AE/ow − Name ： Guide_Channel h'^7xDw − 2D profile definition: Guide Fzh%#z0
− 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 l@Ma{*s6=5 1c~c_Cc4 图6.构建通道
2. 定义布局设定 SEXeK2v
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： }|H]> U&
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 MHVqRYz
− Width：2.8 mA(K`"Bfh
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 'P32G?1C&p
− Profile：Channel-Guide U4%d #
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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\ h Q[5>
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： E} c(4RY
− Length：5300 C>$5<bx
− Width：60 f % ZqK_CW
图8.设置晶圆尺寸
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JQ0Y
xU@YBzbk
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： `j(\9j ok
− Material：Cladding d{hb gUSj
− 点击OK以激活布局窗口 5g&.P\c{
图9.晶圆材料设置
P .3j |)NW
Mr <2I
4) 布局窗口 ~
6 1?nu
图10.默认情况下布局窗口显示
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`"H!=`
5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： " ^ ydo RZ
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 )^
R]3!v
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 i &-g 0
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 UMm< HQ
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 !e&ZhtTuC
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 iN0pYqY*
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： apF!@O^}y
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 C 6B h[:V&
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 l^:m!SA_
图13 .绘制第一个线性波动
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