主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: &-p~UZy • 定义MMI耦合器的材料; ],[<^=| • 定义布局设定; upk+L^ • 创建一个MMI耦合器; XP0;Q;WF} • 插入输入面; !lL
`L\ • 运行模拟; CGlEc • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 t 4zUj%F *PV7s 1. 定义MMI耦合器的材料 tU2#Z=a 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: 9`
UbsxFl 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ rNo/H<J%+j NqD Hrx 图1.初始性能对话框
zh0T3U0D 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” >i >|] ^b`-zFL7 图2.轮廓设计窗口
<82&F 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 r-xP6
vqQ)Pu?T 4e
eh+T 图3.电介质材料创建窗口
j<~T:Tk 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 3h>L0 − Name : Guide Sw"h!\c` − Refractive Index (Re) : 3.3 }N(gP_?n − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 m%[/w wL z_lKq}^~6 图4.创建Guide材料
0%[IG$u)| 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: -P|claO0 − Name : Cladding vk
X+{n − Refractive Index (Re) : 3.27 "+7E9m6I − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 M&29J {5{VGAD&]> 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Ri_2@U-
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: 3Og}_ − Name : Guide_Channel @~|;/OY>" − 2D profile definition: Guide |?{V-L − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 (tVT&eO %Gyn.9\ 图6.构建通道
2. 定义布局设定 =. \hCgq
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Cm%I/4
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 !
M CV@5$
− Width:2.8 :*|Ua%L_
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 b=2:\F
− Profile:Channel-Guide C"**>OGe
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
82EvlmD
P/1YN
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: e/:? 9
− Length:5300 ^JMG'@x
− Width:60 E' `;
图8.设置晶圆尺寸
i6n,N)%H
u*=^>LD
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: B?-w<":!
− Material:Cladding UxHI6,b
− 点击OK以激活布局窗口 .(cpYKFX
图9.晶圆材料设置
8/tB?j
Zv9JkY=+@
4) 布局窗口 GfK%UZ$C
图10.默认情况下布局窗口显示
\ZV>5N3hS
@SxZ>|r-|v
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: j?|Vx'
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 >I~Q[
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 71AYDO
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 :P2!& W
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 `{>/'o
图12.最终布局显示
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K*DH_\SPK
3. 创建一个MMI耦合器 b?iPQ$NyQ
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: xsRkO9x
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 )=K8mt0qob
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 LB]3-FsU+
图13 .绘制第一个线性波动
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