主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: ${,eQ\ • 定义MMI耦合器的材料; { RX| • 定义布局设定; ]8nm9qmF< • 创建一个MMI耦合器; I{ZPv"9j^ • 插入输入面; -#M~NbI, • 运行模拟; 2s ,n!u
Fd • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 k3h53QTmC b'"% 1. 定义MMI耦合器的材料 -"fq34v 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: [ +@<T) 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ zk~ rKQ, |3o@IuGt 图1.初始性能对话框
Y]0y
-H 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” Nmq5Tv PBnn,# 图2.轮廓设计窗口
6U3@-+lF 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 Y[]t_o)
T0)y5 qf$|z`c 图3.电介质材料创建窗口
hRcJ):Wyb 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: 9+|,aG s − Name : Guide 2Yjysn − Refractive Index (Re) : 3.3 +6-!o,( − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 KA2B3\ ")buDU6_ 图4.创建Guide材料
u`nn{C4D" 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: 'J2P3t − Name : Cladding D4-U[l+K> − Refractive Index (Re) : 3.27 <xNM@!'\h − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 yKhzymS}T y_r6T
XnGL 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 f#MN-1[67
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: +'4 dP# − Name : Guide_Channel )fr\V." − 2D profile definition: Guide \~1+T − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 bv];Gk*Z- 8{e 3 图6.构建通道
2. 定义布局设定 l'f!za0
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: <p
.[E]a2_
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 U<gw<[>f
− Width:2.8 B 1.@K }
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 8R D)yRJ
− Profile:Channel-Guide :AGQkJb
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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K.zs;^
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: }H.vH
− Length:5300 ((q(Q9(F
− Width:60 |sAg@kM
图8.设置晶圆尺寸
UGgi)
31Du@h8YX
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: DR=1';63
− Material:Cladding %V/]V,w:*R
− 点击OK以激活布局窗口 ~5529
图9.晶圆材料设置
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n\Nl2u& m
4) 布局窗口 ;hDr+&J|
图10.默认情况下布局窗口显示
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\[jItg,+
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: Lo4t:H&
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 LOzKpvGl
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 H_]kR&F8
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 #Xly5J
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 $!w%=
图12.最终布局显示
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wl9icrR>
3. 创建一个MMI耦合器 6 [E"
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: h08T Q=n
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 5 <poN)"
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 y
6<tV.
图13 .绘制第一个线性波动
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