主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: (1.E9+MquU • 定义MMI耦合器的材料; {d`e9^Z: • 定义布局设定; z+ybtS>pZ • 创建一个MMI耦合器; hrfu\cI • 插入输入面; $umh&z/ • 运行模拟; !<!5;f8 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 ,sEu[m 5<o8prtB 1. 定义MMI耦合器的材料 aA Hx^X^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: .~#<> 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ /jJi`'{U D
==H{c1F 图1.初始性能对话框
anwMG0 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” YE<_a;yh1 F+.:Ry FS 图2.轮廓设计窗口
[%U(l< 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 c_#\'yeW
fmH"&>Loc BR1oE3in 图3.电介质材料创建窗口
2z/qbzG7 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: dZnAdlJ − Name : Guide xf1@mi[a − Refractive Index (Re) : 3.3 x1['+!01 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 #]nH$Kq @eQIwz 图4.创建Guide材料
x5q5<-# 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: EsA)o
5 − Name : Cladding Gc= # − Refractive Index (Re) : 3.27 QdaYP − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 N?`-$C ] [a~|{~?8 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 )bc0 t]Fs
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: WLr\ l29 − Name : Guide_Channel xA|72!zk0P − 2D profile definition: Guide xL,;(F\^ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 #7S[Ch}O UEeD Nl$^u 图6.构建通道
2. 定义布局设定 n[# !Q`D
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: Sp+ zP-3
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 YEGRM$'`
− Width:2.8 P]*,955*)
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 k@1\ULo
− Profile:Channel-Guide J!sIxwF
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
h+o-h4X
%%[ "&
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: c#eV!fl>&
− Length:5300 I$@0FSl
− Width:60 <ptZY.8N
图8.设置晶圆尺寸
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#Z8=z*4
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: H+&c=~D\_
− Material:Cladding Bob K>db
− 点击OK以激活布局窗口 @y,pfWh`
图9.晶圆材料设置
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'UGkL;
4) 布局窗口 D/1{v
图10.默认情况下布局窗口显示
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{[V<mT2/
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置:
?LU]O\p
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 gzS6{570
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 XW]'by
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 \XaKq8uE
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 Y<lJj"G
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 1-`Il]@?8
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: m22FOjk\
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 ,Y|WSKY*
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 dTN[E6#R
图13 .绘制第一个线性波动
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tOx)t$ix
tz#Fy?pe