主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器，主要步骤如下： yqqP7 • 定义MMI耦合器的材料； :|oH11 y • 定义布局设定； mFOuE 5 • 创建一个MMI耦合器； .eW}@1+[; • 插入输入面； : L ` • 运行模拟； 8ON$M=Ze$ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 `9eE139V=' wo84V!"A 1. 定义MMI耦合器的材料 bF:vD&Sf 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作： aYe,5dK> 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“ ,;C92XY gOa'o< 图1.初始性能对话框
}:YS$'by 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）” .hlr)gF&) }4Lv-9s, 图2.轮廓设计窗口
TPp%II'* 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口 UDV,c o
{ ) 4D1 13s!gwE) 图3.电介质材料创建窗口
I(/W+ o 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料： 3> - /sii − Name : Guide pox\Gu~.0 − Refractive Index (Re) : 3.3 o`\l&jUNe − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 gKcP\ m ^x %yIS 图4.创建Guide材料
#ldNWwvRGj 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料： w``t"v4 − Name : Cladding Zs e3e − Refractive Index (Re) : 3.27 Bm"jf] − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 J@(=#z8xS Lp20{R 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 Ua\g *Cxh
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道： p0? X R − Name ： Guide_Channel 25*/]i u − 2D profile definition: Guide EUmQn 8 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口 3zY" 9KUN MOP
%vS 图6.构建通道
2. 定义布局设定 -MJ6~4k2
为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作： q
.n sGbl
1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签 A1Mr
− Width：2.8 V :)k@W?P
注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 w<&N n`V
− Profile：Channel-Guide I,Q J/s I
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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$jo}?Y+
2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签： /"tVOv#
− Length：5300 AnG/A!G
− Width：60 ~<Uwum v
图8.设置晶圆尺寸
-7TT6+H)
1\{0z3P
3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签： b\"J Xfw
− Material：Cladding yAG4W[
− 点击OK以激活布局窗口 :D} xT]
图9.晶圆材料设置
h|m h_T{+
Fl]$ql
4) 布局窗口 'g^;_=^G
图10.默认情况下布局窗口显示
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5) 调整显示比率，以便更好进行波导结构布局设置： X3 ".
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 =B4mi.;@i
− Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示 LR]P?
− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示 HviL4iO
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 U%"c@% B0
图12.最终布局显示
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3. 创建一个MMI耦合器 Uc!} D
为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作： fBS;~;l
1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导 $dFEC}1t
2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导 %L}9nc%~eP
图13 .绘制第一个线性波动
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