主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: pWH8ex+ • 定义MMI耦合器的材料; XPXC7_fV • 定义布局设定; VA.jt}YGE • 创建一个MMI耦合器; AWCzu5ve • 插入输入面; kH*l83 • 运行模拟; K
!8+~[ • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 bT-(lIU "lLt=s2>L 1. 定义MMI耦合器的材料
At%g^ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: _v4TyJ 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ w_G/[R3 xtf]U:c 图1.初始性能对话框
b,5H|$nLu 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” 0TU~Q {y<[1Pms 图2.轮廓设计窗口
f2[z)j7 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 a{Y:hrd:Z
PYr#vOH =O1CxsKt6 图3.电介质材料创建窗口
mU:C{<Z 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ,HS\(Z − Name : Guide |DfYH~@( − Refractive Index (Re) : 3.3 * b>W − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 5R4h9D5 $f>Mz|j 图4.创建Guide材料
^te9f%>$l 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: Nt67Ye3; − Name : Cladding <Sm -Z,| − Refractive Index (Re) : 3.27 wM (!9Ws3 − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 -Qo`UL.} UY
j 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 J/w?Fa<
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: #!h:w − Name : Guide_Channel ;3Fgy8T − 2D profile definition: Guide <;#d*&] − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 fMwJwMT8 nXK"B Ye 图6.构建通道
2. 定义布局设定 /7|u2!#Ui
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: m\U@L+L
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 IvetQ+
− Width:2.8 &GwBxJ
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 2|tZ xlt-
− Profile:Channel-Guide dGQxGt1
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
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GhLgV
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: nk1(/~`
− Length:5300 B;N40d*W
− Width:60 vuuID24:
图8.设置晶圆尺寸
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Nol',^)
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: RmO-".$yt
− Material:Cladding W2tIt&{
− 点击OK以激活布局窗口 {~16j"
图9.晶圆材料设置
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R[wy{4<y
4) 布局窗口 .,l?z
图10.默认情况下布局窗口显示
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ZkQJ->
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: )Be}Ev#)Zx
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 HCb7`(@
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 =/.[&DG
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 T'\lntN
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 [HtU-8:
图12.最终布局显示
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BI;in;Ln
3. 创建一个MMI耦合器 ]5x N^7_!j
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: |=l;UqB
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 Gi]Pwo${
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 }pPxN@X
图13 .绘制第一个线性波动
Hh$D:ZO
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