主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模干涉耦合器,主要步骤如下: x "]%q^x • 定义MMI耦合器的材料; 2sjV*\Udf • 定义布局设定; :D}xT] • 创建一个MMI耦合器; h|m h_T{+ • 插入输入面; Fl]$ql
• 运行模拟; E {4/$} • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。 5G'X\iR prb;q~ 1. 定义MMI耦合器的材料 5[]7baO)h1 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作: &`Q0&8d5 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“ ~EW
(2B{u %A`f>v.7 c 图1.初始性能对话框
z(iB$;M 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)” {$bAs9L s{x2RDAt 图2.轮廓设计窗口
r75,mX 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口 "X's>uM
#JYv1F Tf
Q(f? 图3.电介质材料创建窗口
}N:0%Gk[; 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料: ,xuqQ;JX − Name : Guide `Q<hL {AH − Refractive Index (Re) : 3.3 TjncW/\Z − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 #,Fk U
PGS 图4.创建Guide材料
D@!`b6 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料: -wvrc3F − Name : Cladding R"];`F(# − Refractive Index (Re) : 3.27 us"SM\X# − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口 AVGb;)x# !F/;WjHz 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 M-,vX15S
6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道: F4M<5Yi − Name : Guide_Channel ` fu( − 2D profile definition: Guide 7]@vPr;: − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口 qi;@A-cq q%bNT 图6.构建通道
2. 定义布局设定 4M*UVdJ;
为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作: m!er"0
1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签 D!Owm&We
− Width:2.8 F/tBr%RV
注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度 z,87;4-
− Profile:Channel-Guide =&U JFu
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
':R)i.TS
UaiDo"i
2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签: ba1zu|@w
− Length:5300 #yFDC@gH1
− Width:60 {UQpD
图8.设置晶圆尺寸
iS&fp[Th
<@.f#
3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签: AH;0=<n
− Material:Cladding 2BS2$#c>
− 点击OK以激活布局窗口 wr~# rfH
图9.晶圆材料设置
z|=l^u6uS
r4@!QR<h
4) 布局窗口 ?9mFI (r~
图10.默认情况下布局窗口显示
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k`62&"T
5) 调整显示比率,以便更好进行波导结构布局设置: ib /B!?/
− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口 br.jj
− Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示 T?N' k=
− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示 yeFt0\=H
图11.调整Z方向和X方向的显示比率 ^DS9D:oE
图12.最终布局显示
mhH[jO)
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3. 创建一个MMI耦合器 v}Gq.(b
为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作: .M!6${N);
1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导 FTI[YR8?Y
2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导 E}-Y@( [
图13 .绘制第一个线性波动
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