切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 1178阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    7377
    光币
    31026
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    |r%NMw #y  
    J )DFH~p  
    /5$;W 'I  
    W#.+C6/  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 UTLuzm  
    Ey#7L M)  
    建模任务 qTuQ]*[-  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 ?~p]Ey}~9  
    7B)m/%>3s  
    'C2X9/!,  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 <lo\7p$A  
         : [r/ Y  
    探测器 h7"c_=w+  
    P\lEfsuR  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) L]kd.JJvy  
    _*m<Z;Et  
    太阳能电池 nUy.gAb  
    TF1,7Qd  
         S<Os\/*  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 F!_8?=|  
    rijavZS6  
    系统构建模块-分层的介质组件 LN0pC }F  
    @?vC4+'  
         $~+(si2  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    5w+KIHhN|  
    9Gc4mwu  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 X;&Iu{&=  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: wr-/R"fX  
        每个均质层的特征值求解器。 =f/CBYNw@V  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 2t[P-on  
    4Y5lP00!}  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 2if7|o$=  
    cTJi8f=g  
        
    TKe\Bi  
    更多信息: DEw>f%&4  
        层矩阵(S矩阵) {Z,_/@}N  
    YWFq&II|Z  
    系统构建模块-已采样的介质 @u @~gEt  
    teKx^ 'c'  
         ZccvZl ;b  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    ak A7))Q  
    OU esL9  
    系统构建模块-探测   H[_i=X3-~  
        
    [} zzG@g,J  
         vvI23!H  
    总结——组件 AxtmG\o>  
    Gl"|t't(  
        
    IE|? &O  
        
    g7" 2}|qxo  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 YSh@+AN  
    D"V(A\sZ  
           z ub"Ap3  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured hp1+9vEN  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. Uv m:`e~?  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
    分享到