切换到宽版
  • 广告投放
  • 稿件投递
  • 繁體中文
    • 468阅读
    • 0回复

    [技术]CIGS太阳能电池中的吸收 [复制链接]

    上一主题 下一主题
    离线infotek
     
    发帖
    5623
    光币
    22267
    光券
    0
    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2022-12-01
    '; qT  
    }wiq?dr  
    h[ t OY  
    j\W+wnAgk  
    太阳能电池是可再生能源领域的一种基础技术。为了优化效率,大多数常见的设计使用薄膜结构和具有高吸收系数的介质——因为正是这种吸收的光能最终会转化为电流。基于铜铟硒化镓(CIGS)的太阳能电池,与基于其他材料的电池相比,它们可以变得更薄而不损失吸收效率,因此已经很普遍地使用了。 *<9p88FpDU  
    7%0PsF _  
    建模任务 ^+}<Q#y-  
    300nm~1100nm的平面波均匀光谱 F35e/YfG  
    &"d4J?io`  
    za24-q  
    系统来源:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566 &3AGj,  
         }+u<^7$g|  
    探测器 XX/cJp  
    d`2VbZC`  
    功率(吸收功率将通过两个探测器的功率读数之差计算) YWm:#{n.  
    4u"O/rt  
    太阳能电池 &oAuh?kTq  
    \n/_ Px  
         (}}BZ S&.  
        *我们假设太阳能电池是由一层带有防反射涂层的熔融石英保护的。 G66vzwO   
    (/Nw  
    系统构建模块-分层的介质组件 5<&<61[A  
    ^gNAGQYA  
         +]B^*99  
    对于涂有涂层的反射镜,我们使用分层介质组件,因为它为x和y方向不变的膜层堆栈提供了一个快速和严格的解决方案。
    {N>VK*  
    Ll&Y_Ry  
    系统构建模块-膜层矩阵求解器 \ <V{6#Q=  
        分层介质组件采用膜层矩阵电磁场求解器。该求解器在空间频域(k域)中工作。它包括: {-H6Z#b[  
        每个均质层的特征值求解器。 [ UQzCqV  
        一个用于所有界面上的匹配边界条件的s矩阵。 =:5yRP  
    4,FuQ}  
    特征值求解器计算每层均匀介质在k域内的电场解。s-矩阵算法通过递归匹配边界条件来计算整个膜层系统的响应。这是一种以其无条件数值稳定性而闻名的方法,因为与传统的传递矩阵不同,它避免了计算步骤中的指数增长函数。 <Y9ps`{}:  
    qc@CV:  
        
    zX|CW;  
    更多信息: 5q" ;R$+j  
        层矩阵(S矩阵) ?. CA9!|   
    $T~|@XH  
    系统构建模块-已采样的介质 ~,dj)x 3M  
    sexnO^s  
         mM>{^%2Q:  
    VirtualLabFusion提供一个不同材料的综合目录,可以用于膜层。也可以从测量数据中导入材料数据。
    %  &{>oEQ  
    QIG MP=!j  
    系统构建模块-探测   O[Nc$dc  
        
    =XyK/$  
         !*N#}6Jd  
    总结——组件 T*O!r`.Ak  
    C$Ldz=d  
        
    ]w! x  
        
    8!E$0^)c|  
    对不同厚度的CIGS层的吸收情况 vlx wt~  
    91`biVZfA  
           0l{').!_  
    参考文献:J. Goffard et al., "Light Trapping in Ultrathin CIGS Solar Cells with Nanostructured 7*uG9iX  
        Back Mirrors," in IEEE Journal of Photovoltaics, vol. 7, no. 5, pp. 1433-1441, Sept. 2017, doi: 10.1109/JPHOTOV.2017.2726566. GIt; Y  
        
        CIGS层厚度变化量:100/150/200nm
     
    分享到