OLh`R ]Sd VirtualLab Fusion为表面和（
光栅）区域提供了灵活的通道配置。通过调整通道配置，可以轻松实现所需的建模方案。我们以一个具有两个表面的光波导为例来演示通道的配置。通过不同的设置，我们展示了所产生的光路。此外，我们在波导面上添加光栅区域，并演示了区域的配置，以及这些区域的光栅
参数。
i)9}+M 5 #=F"PhiX` 
A tl`J.;G JwCv(1$GM 建模任务 L1 =3_fO KiW4>@tY 如何调整表面上的通道和可能的光栅区域，以及如何用这些设置来控制
模型。
d]1%/$v^ u>c\J|K_V 
^?PU:eS QK _1!t3 表面通道 8|^dM $ HDQhXw!!hc 初始化
=O fU#i"c - 使用两个平面来
模拟石英
玻璃制成的平面光波导，厚度为5mm。
PN9^ sLx= vzV ,}
S*c 
#p& &w1 -c-af%xD 表面通道 2WQKj9iyN
_G s*4: 初始化
3sG7G:4 - 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导，厚度为5mm。
Oop5bg - 为了更好地说明问题，为波导定义一个独立的Y轴旋转30°。
V.zKjoky@ q-s! hiK 
q/y4HT, x 272j$T L9tjH C] 表面通道 ZeewGa^r n8<o*f&&9> 通道定义
N]n]7(e+0C - 每个表面有四个可能的通道，至少要激活一个通道进行追迹。
0dS}p d">k - 可以为每个表面单独定义通道。
'J^ M`/ - 通道的不同设置会导致不同的建模方案。
E)==!T@E QZy +` 
FTM(y CN is=sV:j: 表面通道 5G .Fi21
b
%Q]u_0P*
").MU[ q%Y T ymE(,1 表面通道 _&S?uz m TDI8L\rr 
>55c{|"@L a<X8l^Ln 区域通道 &`>[4D* }~P%S( zB 表面上的区域
kp3(/`xP -可以在表面上定义单个区域，并单独定义其
光学特性，包括通道设置。
|8I #` OJd!g/V 
(;u tiupW Y"
9 o 区域通道 KT n,}7vZ w:Ui_-4*> 区域定义
eUQ., mP -在第一面建立一个长方形区域。
`@GqD -设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm，中心沿x方向为-3.6 mm。
S,T?(lSl b *IJ + 
jvx9b([<sG ~~:w^(s9 区域通道 gLv|Hu7
;/ i"W 区域定义
AH`n -在第一面建立一个长方形区域。
QX (x6y>Q -设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm，中心沿x方向为-3.6 mm。
xsK{nM6g -将此区域定义为具有单一透射系数T0 = 50%的光栅，和单一反射系数R0 = 50%的光栅，这就构成了一个半
反射镜。
* d6[k Y -在这里，我们只使用零次
衍射阶，这与通常的透射或折射引起的反射是相同的。
l@` D;m '!`%!Xg 
U$a Eby. x4v@Kk/ 区域通道 Ore$yI}!m 区域定义
`B+% W - 按照与表面相同的规则，为这个区域设置通道。
Ke[doQ# c r}) 2-3ZA9 
^ _4TDC~h :0o
$qz2 带有光栅的区域通道 #1R_*
U h /nXp5g^6( 区域定义
Ao HA+>&U - 可以在给定区域上定义一个衍射光栅。
n<MMO=+bg 8?] : > 
[+$l/dag CCKg,v 带有光栅的区域通道 ja$>>5<q
?7-#i C` 区域定义
~45u
a -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。
Myss$gt} -我们在第二表面上增加一个矩形区域（侧长2.25mm），沿x方向以-8.2mm为中心。
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96, { 
,2S
<#p! -Hzn7L 带有光栅的区域通道 FzmCS@yA GkMNV7"m 区域定义
O$x-&pW`g -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。
ulFU( % & -我们在第二表面上增加一个矩形区域（侧长2.25mm），沿x方向以-8.2mm为中心。
S CeZt [
-定义一个2微米周期的理想光栅，指定的衍射系数为:
{ frEVHw T0=10%
IV^LYu T+1=60%
FtN 1ZZ"<* T+2=10%
bGRI^
[8#+ LLmgk" 
> 7!aZO /rp4m& ! 带有光栅的区域通道 &QE^i%6>\ IWu ^a w 区域定义
o ^~6RZ -可以在给定区域内定义一个衍射光栅。
4 zghM< -我们在第二表面上增加一个矩形区域（侧长2.25mm），沿x方向以8.2mm为中心。
:b>Z|7g ? -定义一个2微米周期的理想光栅，指定的衍射系数为:
($(6]?J(?7 T0=10%
tYIHsm\b T+1=60%
aM 0kV.O T+2=10%
kN 9S;o@ ) DHpU?;|3 
