主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
& Cq{
_M • 定义MMI耦合器的
材料；
y?>#t^ • 定义布局设定；
@44P4?; • 创建一个MMI耦合器；
p'&*r2_ram • 插入输入面；
eZNi tGaU • 运行
模拟；
4YLs^1'TG0 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
+vz` go k,rWa 1. 定义MMI耦合器的材料 GQx9u ^> 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
8a9RML}G< 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
('t kZt%8 图1.初始性能对话框
`@|w>8bMz{ kg3ppt 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
n>P! u71 图2.轮廓设计窗口
a=+T95ulDy ^Gq5ig1rxy 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
J3G7zu8 Wt J{ 图3.电介质材料创建窗口
cn%2OP:L^ f jI #- 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
H0a - ( − Name : Guide
F6W}mMZH/N − Refractive Index (Re) : 3.3
x l0DN{PG − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
J{Tq%\ a3 图4.创建Guide材料
yG&2U qX r~8;kcu7 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
[9V]On − Name : Cladding
:Q _x/+- − Refractive Index (Re) : 3.27
/s
c.C − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
?+r!z 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 ( KTnJZ
7yI`e*EOD 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
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eE { − Name ： Guide_Channel
6z?gg3GV − 2D profile definition: Guide
i-W − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
? } ( = 图6.构建通道
s -k_d < 2. 定义布局设定 frN3S 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
:.iyR 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
zoP%u,XL − Width：2.8
iePf ]O* 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
xNpg{cQ= − Profile：Channel-Guide
\k @Z7+&7 ->E=&X 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
LK}-lZ`
i 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
)"`!AerJ − Length：5300− Width：60
R 8&|+ya 
KrKu7]If6# 图8.设置晶圆尺寸
}B q^3?,#{ 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
Yv )aAWEa − 点击OK以激活布局窗口
}rbZ&IN\?E 
图9.晶圆材料设置
?_q+&)4-o 4) 布局窗口
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a3@w|KLt 图10.默认情况下布局窗口显示
aMK~1]Cx 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
Lw*]EG|? − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
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G^ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
0{) $SY 
mm[SBiFO\ 图12.最终布局显示
DQJG,?e{ 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
0a2@b"l 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
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& ,L9O U 图13 .绘制第一个线性波动
op7FZHs } /e`v6 g4&jo_3:p
