主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
&JXb) W • 定义MMI耦合器的
材料;
f4
qVUU • 定义布局设定;
W#%s0EN<_ • 创建一个MMI耦合器;
(6.uNLr • 插入输入面;
lXg5UrW • 运行
模拟;
D<m0G]Ht* • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
6\ yBA_z !b"?l"C+u 1. 定义MMI耦合器的材料 D#G%WT/" 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
%@Z;;5 L 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
1X[^^p~^ 图1.初始性能对话框
fd4C8>*7G M+0PEf. 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
~ ;LzTL 图2.轮廓设计窗口
zGFD71=# <n4` #d 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
jM&di l2LLM {B 图3.电介质材料创建窗口
r=&,2meo K8aqC{ 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
vjq2(I)u − Name : Guide
uN:KivVe − Refractive Index (Re) : 3.3
mUbm3JIjJ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
Z(7kwhP[` 图4.创建Guide材料
ujRXAN@mC mwo:+^v( 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
v,S5C − Name : Cladding
S~i9~jA − Refractive Index (Re) : 3.27
`Bw]PO − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
|)+
SG>- 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 {Q3OT
SfnQW}RGI 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
)-26(aNGT − Name : Guide_Channel
cf88Fd6l/ − 2D profile definition: Guide
HJ]xZ83pC − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
|ZL?Pqki 图6.构建通道
U\p`YZ 2. 定义布局设定 bAPMD 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
V6X )L>!xx 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
RbX9PF"|+ − Width:2.8
1>OlBp 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
!1G
KpL − Profile:Channel-Guide
uYMn VE" >I|8yqbfm 图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
?1D!%jfi 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
u<Kowt<ci − Length:5300− Width:60
r*+~(83k >`\.i,X.D 图8.设置晶圆尺寸
/@F'f@; 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
->rqr# − 点击OK以激活布局窗口
?
`p/jA 图9.晶圆材料设置
*O
:JECKU 4) 布局窗口
w6i2>nu_O WM'!|lg 图10.默认情况下布局窗口显示
:QGkYJ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
byxlC?q7 − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
vN'+5*Cgy6 8YFG*HSa 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
5c` ;~ Jh3 图12.最终布局显示
rO7_K>g? 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
Gr\ ]6 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
Z 2N6r6 F
qH))2 图13 .绘制第一个线性波动
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