主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器，主要步骤如下：
W&]grG2/ • 定义MMI耦合器的
材料；
cK>5!2b • 定义布局设定；
:XMw=" u= • 创建一个MMI耦合器；
C9/?B: • 插入输入面；
Oah}7!a) • 运行
模拟；
I~qS6#% r • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
qoMYiF}/e i _ 4FxC4 1. 定义MMI耦合器的材料 XQ<2(}]4 为了定义MMI耦合器的材料，需要进行如下操作：
)}?'1ciHI 1) 通过File-New打开“初始性能对话框（Initial Properties）“
ke~O+] 图1.初始性能对话框
>Ge&v'~_| RC8{QgaI 2) 点击图1中的“轮廓和材料（Profiles And Materials）”以激活“轮廓设计窗口（Profile Designer）”
+7o3TA]- 图2.轮廓设计窗口
}Xs=x 6Mj kF~}h tv.= 3) 右键单击图2中材料（Materials）标签下的“电介质（Dielectric）“，选择New以激活电介质材料创建窗口
T IPb ] iLy }G7 h 图3.电介质材料创建窗口
@.- g o:#MP(h,N 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料：
r]km1SrS − Name : Guide
!xMyk>%2 − Refractive Index (Re) : 3.3
@4h .? − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
(]>c8;o#b 图4.创建Guide材料
mY.[AIB Q Q97BP7W 5) 重复步骤3）和4），创建第二种电解质材料：
zb~!>
QIz{ − Name : Cladding
W)V"QrFK − Refractive Index (Re) : 3.27
!l_ 1r$ − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
El0| .dW 图5.左图为创建Cladding材料，右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 4NwGP^ n
%Md;=,a:6 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1，进入通道编辑窗口，构建通道：
HPp Kti7g − Name ： Guide_Channel
ro6peUL*2` − 2D profile definition: Guide
Hw<t>z
k − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口，关闭Profile Designer窗口
gOO\` # 图6.构建通道
g!D?Yj4 2. 定义布局设定 J}KATpHs 为了定义布局设定，需要在“初始性能对话框（Initial Properties）”窗口进行以下操作：
T eG5|`t], 1) 点击“默认波导（Default Waveguide）”标签
rO 6oVz#x − Width：2.8
Ve7[ U_" 注意：所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
cy ?u
* − Profile：Channel-Guide
tp_*U, ;hmy7M1% 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
!3 $Ph 2) 切换到“晶圆尺寸（Wafer Dimension）”标签：
3Zdkf]Gh − Length：5300− Width：60
GKtG#jZ& 
HlPf 图8.设置晶圆尺寸
xc8MOm 3) 切换到“2D晶圆属性（2D Wafer Properties）”标签：− Material：Cladding
jRXByi=9 − 点击OK以激活布局窗口
MH`f!%c 
图9.晶圆材料设置
@xB"9s 4) 布局窗口
vz,l{0 v 
Tw`^ 图10.默认情况下布局窗口显示
a~7 `;Ar 5) 调整显示比率，以便更好进行波导
结构布局设置：− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
LnxJFc:1K − Display ratio : Z=40,点击OK，如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ，最终布局显示如图12所示
E G5 9L~nM 
nod?v2% 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
JpD<2Mz_|V 
F%lP<4V x 图12.最终布局显示
PR{ ?l 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器，需要进入如下操作：
tV@!jaj\ 1) 在“绘图（Draw）”菜单下选择“线性波导（Linear Waveguide）”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时，点击布局窗口左侧，并向右侧拖拽波导后松开鼠标，以生成第一个线性波导
jw5Bbyk 
TNUzNA 图13 .绘制第一个线性波动
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