主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
rh+OgKi • 定义MMI耦合器的
材料;
}MoCUN)I • 定义布局设定;
*yB!^O • 创建一个MMI耦合器;
7Kn=[2J5k' • 插入输入面;
LNj|t)O v • 运行
模拟;
`/"z. ~8 • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
@sVBG']p
h7g9:10 1. 定义MMI耦合器的材料 UZ
y 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
@wpm;] 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
U_w)*)F 图1.初始性能对话框
1@/+ c >
vgqf>)kk 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
|/q *Fg[f 图2.轮廓设计窗口
1j}o.0\ VRD2e
,K 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
IqmavnM# iJ~pX\FKO 图3.电介质材料创建窗口
&fW;;> [}FP_Su$6 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
$BG9<:p − Name : Guide
B-o"Y'iXs − Refractive Index (Re) : 3.3
.[~E}O − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
nuvz!<5\{ 图4.创建Guide材料
0\.y0
K8 9!o:)99U 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
Nz2}Ma 2 − Name : Cladding
0^hz 1\g − Refractive Index (Re) : 3.27
8R)*8bb − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
}UX >O 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 [3j]r{0I
Uq"RyvkpP 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
!j\yt − Name : Guide_Channel
wjY3:S~ − 2D profile definition: Guide
?onZ:s2 − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
z]tvy). 图6.构建通道
+&JF|#FQ` 2. 定义布局设定 Ff|?<\x0}A 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
W(EU*~<UC 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
u U\UULH0 − Width:2.8
lQoa[#q 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
N-lXC"{) − Profile:Channel-Guide
N@*v'MEko% R\6#J0&Y- 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
>&p_G0- 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
,~c:P>v= − Length:5300− Width:60
w!%Bc]
b>G!K)MS3 图8.设置晶圆尺寸
AM\`v'I*6 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
[S'ngQ"f` − 点击OK以激活布局窗口
}(ot IqE 
图9.晶圆材料设置
d[jxU/.p; 4) 布局窗口
C#;}U51:t
GN(PH/fO9 图10.默认情况下布局窗口显示
z;1yZ4[G 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
_^Rf*G ! − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
J/=b1{d"n
Ws'3*HAce 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
R$wo{{KX
ig3uY# 图12.最终布局显示
I9TOBn|6 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
t4
$cMf 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
DL<r2h
dfO84Z}
5 图13 .绘制第一个线性波动
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