主要用于介绍如何在OptiBPM中创建一个简单的多模
干涉耦合器,主要步骤如下:
nZZNx
• 定义MMI耦合器的
材料;
:T^!<W4 • 定义布局设定;
/(IV+ • 创建一个MMI耦合器;
Pyh+HD\ • 插入输入面;
zh`!x{Z?^ • 运行
模拟;
ZoX24C' • 在OptiBPM_Analyzer中预览模拟结果。
)!6JSMS ]<b$k 1. 定义MMI耦合器的材料 Xi$( U8J_ 为了定义MMI耦合器的材料,需要进行如下操作:
MMlryn||1 1) 通过File-New打开“初始性能对话框(Initial Properties)“
aT}Mn(F*? 图1.初始性能对话框
s~e<Pr?yu |^fubQs;2 2) 点击图1中的“轮廓和材料(Profiles And Materials)”以激活“轮廓设计窗口(Profile Designer)”
S(NH# ^ 图2.轮廓设计窗口
xz2U?)m;x ^b|Z<oF 3) 右键单击图2中材料(Materials)标签下的“电介质(Dielectric)“,选择New以激活电介质材料创建窗口
58xaVOhb .EeXq}a[ 图3.电介质材料创建窗口
ZK:dhwer iMG)zPj 4) 在图3中窗口创建第一种电解质材料:
od~^''/b − Name : Guide
ycYT1Sg8 − Refractive Index (Re) : 3.3
PPoQNW − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
\H<gKZquR 图4.创建Guide材料
Q{%2Npvq )Z6bMAb0'N 5) 重复步骤3)和4),创建第二种电解质材料:
AI
KLJvte − Name : Cladding
}/tT=G]91 − Refractive Index (Re) : 3.27
oh*Hzb − 点击“Store”以保存创建的第一种电解质材料并关闭窗口
HI iMq'H^ 图5.左图为创建Cladding材料,右图为材料创建成功后电解质材料标签下的显示 #,dNhUV#
J|*Z*m 6) 双击Profiles标签下的Channel-Channel1,进入通道编辑窗口,构建通道:
w2*.3I,~)B − Name : Guide_Channel
Oi#4|*b{W − 2D profile definition: Guide
U'(Exr[ − 点击“Store”保存创建的通道并关闭通道编辑窗口,关闭Profile Designer窗口
n(X {|? 图6.构建通道
wQ1_Q8 :Z 2. 定义布局设定 =BD} +(3 为了定义布局设定,需要在“初始性能对话框(Initial Properties)”窗口进行以下操作:
R&oC9< 1) 点击“默认波导(Default Waveguide)”标签
tW<i;2 l − Width:2.8
]5(T{ 注意:所有的波导将会使用此设定以作为默认厚度
Ah^0FU%!g − Profile:Channel-Guide
? :StFlie \YUl$d0 
图7.默认波导标签下“Width”以及“Profile”设置
.'`7JU#{ 2) 切换到“晶圆尺寸(Wafer Dimension)”标签:
.II*wKk − Length:5300− Width:60
05sWN 0
;8F|Q<`pV 图8.设置晶圆尺寸
b\6)whh 3) 切换到“2D晶圆属性(2D Wafer Properties)”标签:− Material:Cladding
m7<HK,d − 点击OK以激活布局窗口
?yAp&Ad 
图9.晶圆材料设置
So?.V4aD_ 4) 布局窗口
j@chSk"K
@8keLrp 图10.默认情况下布局窗口显示
[tN^)c`s/ 5) 调整显示比率,以便更好进行波导
结构布局设置:− View-Layout Options以激活布局设置选项窗口
2Y~UeJ_\Lq − Display ratio : Z=40,点击OK,如图11所示− 调整缩放比率为0.6 ,最终布局显示如图12所示
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1Yr&E_5/ 图11.调整Z方向和X方向的显示比率
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VpoI
"n<rP 3y 图12.最终布局显示
( mV *7Z 3. 创建一个MMI耦合器 为了构建一个MMI耦合器,需要进入如下操作:
1zo0/<dk 1) 在“绘图(Draw)”菜单下选择“线性波导(Linear Waveguide)”或者在波导栏 下选择线性波导2) 当鼠标指针变为十字叉时,点击布局窗口左侧,并向右侧拖拽波导后松开鼠标,以生成第一个线性波导
ZD$W>'m{F
mT]+wi& 图13 .绘制第一个线性波动
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