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第四代半导体特点和烧结银 随着2018年特斯拉采用碳化硅（SiC）、2020年小米在快充上使用氮化镓开始，第三代半导体经过三四十年的发展终于获得市场认可迎来发展机遇。此后，第三代半导体在新能源车、消费电子等领域快速发展开来，并逐渐从热门场景向更多拓展场景探索。 在第三代半导体发展得如火如荼之际，氧化镓、氮化铝、金刚石等第四代半导体材料也开始受到关注。其中，氧化镓( Ga2O3 )是被国际普遍关注并认可已开启产业化的第四代半导体材料。 氧化镓( Ga2O3 ) 在耐压、电流、功率、损耗等维度都有其优势，此前被用于光电领域的应用，直到2012年开始，业内对它更大的期待是用于功率器件，全球80%的研究单位都在朝着该方向发展。 一、第四代半导体特点：功耗更小成本更低 功率半导体最看重的是击穿场强、导通电阻、迁移率、介电常数等参数，禁带宽度更宽的材料，天然具有更耐高温、耐辐射、耐高压、导通电阻低的特点。氧化镓的禁带宽度为4.9eV，而氮化镓为3.39eV，碳化硅为3.2eV，硅为1.1eV；在耐压能力上，氧化镓、氮化镓、碳化硅、硅的击穿场分别为8、3.3、2.5、0.3MV/cm；在评估材料特性的巴利加优值BFOM上，氧化镓、氮化镓、碳化硅、硅分别为3440、536、344、1，数值越大，导通特性就越好；不过在散热率上，氧化镓的热导率仅0.27w/cm·k，要低于氮化镓（2.1 w/cm·k）、碳化硅（2.7 w/cm·k）、硅（1.2 w/cm·k），现在工业界通过封装已经搞定散热，效果很好。 二、第四代半导体烧结银特点：高可靠性高导热 推荐使用AS9385加压烧结银作为第四代半导体的封装材料，此系列产品具有可靠性高，导热系数高，热阻低等特点，是高功率器件封装的好帮手。 AS9385和氧化镓、氮化铝、金刚石等材料有很好的兼容性和粘结效果。 分享到：
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