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光栅结构广泛应用于各种光学应用场景,如光谱仪、近眼显示系统、脉冲整形等。快速物理光学软件VirtualLab Fusion通过使用傅里叶模态方法(FMM,也称为RCWA),为任意光栅结构的严格分析提供了通用和方便的工具。为此,复杂的一维或二维周期结构可以使用界面和调制介质进行配置,这允许任何类型的光栅形貌进行自由的配置。在此用例中,详细讨论了衍射级次的偏振态的研究。 oA`Ncu5 ofsua?lSe
I6\l6 o :[!rj 任务说明 uV{cvq$jy znD0&CS9q >[NNu Y~ ?z p$Wz;k 简要介绍衍射效率与偏振理论 Ak&eGd$d 某个衍射级次(𝑛)的效率表示有多少的辐射功率被衍射到这个特定的级次中。它是由复数值瑞利系数计算出来的,瑞利系数包含了每个衍射级次(矢量)电磁场的全部信息。瑞利系数本身是由FMM对光栅的特征值问题进行严格分析的结果。 aR+vY1d" 如果在TE/TM坐标系(CS)中给出瑞利系数,则可以计算衍射效率: ^k/@y@% ~#Vrf0w/ 其中,n_in/n_out为覆盖层和衬底层的折射率,ϑ_in/ϑ_out为所分析的阶次的入射角和衍射角。此外,𝐴表示辐射光的振幅。 YDO#Q= q% 如果瑞利系数沿𝑥、𝑦和𝑧给出瑞利系数,则必须应用以下方程: 2e#hJ-/`- ]v$VZ' 因此,必须考虑所给出的瑞利系数的坐标系。默认情况下,光栅坐标系中为 。 J&2cf# *$Bx#0J8 光栅结构参数 .*i.Z 研究了一种矩形光栅结构。 w_PnEJa9 为了简化设置,选择光栅配置,只允许零阶(R_0)反射传播。 b@"#A8M 根据上述参数选择以下光栅参数: +uLl3(ml 光栅周期:250 nm }mz@oEB#vF 填充因子:0.5 m>DBO|` 光栅高度:200 nm Xnpw'<~X 材料n_1:熔融石英(来自目录) K8daSvc 材料n_2:二氧化钛(来自目录) 274F+X vjmNS=l H+6+I53 PVLLuv 偏振态分析 lXjhT 现在,用TE偏振光照射光栅,并应用圆锥入射角(𝜑)变量。 yp9vgUs 如前所述,瑞利系数的平方振幅将提供关于特定级次的偏振态的信息。 )lwxFP; 为了接收瑞利系数作为检测器的结果,需要选择光栅级次分析器件中的单个级次输出,并选择所需的系数。 "w7wd5h k>SPtiAs t}w<xe +XMKRt 模拟光栅的偏振态 y<|8OTT n|q$=jE
Xw)W6H| Tmjcc( 瑞利系数现在提供了偏振态的信息: fAYp\k 在圆锥入射角为0(𝜑=0)时, 。这说明衍射光是完全偏振的。 TuG%oV} 对于𝜑=22°, 。此时,67%的光是TM偏振的。 WCRGqSr4
对于𝜑>50°,系数接近为常数,因此偏振态也是常数。 m#|;?z -Ph"#R& Passilly等人更深入的光栅案例。 m?GBvL$ Passilly等人的工作研究并优化了亚波长光栅下衍射光谱的偏振态,以获得不同状态之间的高度转换。 3e,"B
S)+ 因此,他们将模拟结果与制作样品的测量数据进行了比较。 Q!.JV.( r^zra|]
C)hS^D: 1K\zamBg 光栅结构参数 #l 7(WG 在本文中,研究了两种不同的制备光栅结构。 Op<,e{[] 由于加工造成的光栅的理想二元形状的一些偏差是可以预料的,而且确实可以观察到:在基板和侧壁上存在不完全平行的欠刻蚀部分。 ]?c9;U 由于缺少关于制作结构的细节,我们将其简化为VirtulLab Fusion中的模拟。 ZW>iq M^9 但是如果有可用数据,就可以详细分析光栅的复杂形状。 v-(dh5e`
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cfSQqH n~_;tO 光栅#1——参数 ]Ub"NLYV 假设侧壁倾斜为线性。 }-/oL+j 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。 f9$8$O 为了实现光栅脊的梯形形状,采用了倾斜光栅介质。 4m1@lnjp 光栅周期:250 nm 'u}OeS"f 光栅高度:660 nm N||a0&& 填充因子:0.75(底部) MMU>55+- 侧壁角度:±6° 6v?tZ&,
G n_1:1.46 :6TLT-B n_2:2.08 !:2_y'hA b]5/IT)@O
#kQ1,P6,( =j^>sg] 光栅#1——结果 bUU\bc 这两幅图对比之下匹配度很高,特别是图表的趋势。 t9~Y
? 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。 cB0"vbdO y3@m1>]09
I+eKuWB !,<rW<&; 光栅#2——参数 &0x;60b 假设光栅为矩形。 Uc<BLu; 忽略了衬底中的欠刻蚀部分。 @Ta0v:Y 矩形光栅足以表示这种光栅结构。 g|Xjw Ti8$ 光栅周期:250 nm IE:;`e:\D 光栅高度:490 nm Ve\.7s 填充因子:0.5 lk4U/: n_1:1.46 7hlzuZob+y n_2:2.08 TUN6`/" D4jZh+_|S Esdv+f}4; wd*V,ZN7 光栅#2——结果 +<Y1`kV) 这两幅图对比之下再次显示出非常好的匹配度,特别是图表的趋势。 +8}8b_bgH 与参考文献相比,仿真中光栅结构进行了简化,存在一些小的偏差。由于缺乏关于实际的更详细的光栅结构的数据,这种简化是必要的。 B-p ]. Il]p >B /"@k_[O Lvb'qZ6n
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