[技术]表面和光栅区域的通道配置 [复制链接]

VirtualLab Fusion为表面和（光栅）区域提供了灵活的通道配置。通过调整通道配置，可以轻松实现所需的建模方案。我们以一个具有两个表面的光波导为例来演示通道的配置。通过不同的设置，我们展示了所产生的光路。此外，我们在波导面上添加光栅区域，并演示了区域的配置，以及这些区域的光栅参数。 DtI$9`~  
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建模任务 HTk\723Rdw  
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 如何调整表面上的通道和可能的光栅区域，以及如何用这些设置来控制模型。 b+{r!D}~  
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表面通道 mb1Vu  
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 初始化 a9l8{3  
- 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导，厚度为5mm。 ` 1+%}}!$u  
   u,o1{%O  
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aGK@)&h$  
表面通道 ZzcPiTSO  
oa`#RC8N  
 初始化 }pawIf4V  
- 使用两个平面来模拟石英玻璃制成的平面光波导，厚度为5mm。 W`M
6J}oG  
- 为了更好地说明问题，为波导定义一个独立的Y轴旋转30°。 .'T40=7  
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表面通道 &| !B!eOY  
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 通道定义 dv!r.  
- 每个表面有四个可能的通道，至少要激活一个通道进行追迹。 M0w/wt|  
- 可以为每个表面单独定义通道。 xu\eXx6H  
- 通道的不同设置会导致不同的建模方案。 bL1m'^r  
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表面通道 HBiBv-=,  
mgQIhXH5L  
Ef@,hX  
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表面通道 ,_ .v_
  
pC(sS0J  
I=IjdwbH  
h`Tz5% n  
区域通道 u0 y 1  
PsnGXcj  
 表面上的区域 +Qj(B@i  
-可以在表面上定义单个区域，并单独定义其光学特性，包括通道设置。 [4Q"#[V&9  
O!&,5Dy  
)T|L,Lp  
   Eu,`7iQ?(  
区域通道 ,6,]#R :J  
7%;_kFRV  
 区域定义 ?LP9iY${  
-在第一面建立一个长方形区域。 1m@^E:w  
-设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm，中心沿x方向为-3.6 mm。 w>e s  
MX|H}+\  
DjLL|jF  
   rwf^,r"r  
区域通道 xDLG=A%]z  
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n vSvk  
 区域定义 (zcLx;N  
-在第一面建立一个长方形区域。 ](jFwxU  
-设置区域大小为2.25 mm×2.25 mm，中心沿x方向为-3.6 mm。 yj_4gxJ\  
-将此区域定义为具有单一透射系数T0 = 50%的光栅，和单一反射系数R0 = 50%的光栅，这就构成了一个半反射镜。 tTanW2C  
-在这里，我们只使用零次衍射阶，这与通常的透射或折射引起的反射是相同的。 1AD]v<M  
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   I)SG wt-  
区域通道 @It>*B yB.  
 区域定义 p/GVTf  
- 按照与表面相同的规则，为这个区域设置通道。 6'-As=iw  
.uz|/Zy  
>I"V],d!6  
~AB*]Us  
带有光栅的区域通道 ('[TLHP  
gm)@c2?.  
 区域定义 Zjh2{ :  
- 可以在给定区域上定义一个衍射光栅。 v|';!p|  
 jN*:QI  
PBjmGwg7  
   &[[K"aM1  
带有光栅的区域通道 SPkn3D6  
z@ 35NZn  
 区域定义 (5Nv8H8|  
-可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 Vu8,(A7D%O  
-我们在第二表面上增加一个矩形区域（侧长2.25mm），沿x方向以-8.2mm为中心。 #q\x$  
%;xOB^H^  
5Wx~ZQZ  
   r' Z3  
带有光栅的区域通道 0Q5^C!K  
<%?#AVU[  
 区域定义 yV_wDeAz  
-可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 w n|]{Ww35  
-我们在第二表面上增加一个矩形区域（侧长2.25mm），沿x方向以-8.2mm为中心。 @OpNHQat9  
-定义一个2微米周期的理想光栅，指定的衍射系数为: {Qu"%h.Al  
 T0=10% cC{"<fYF  
 T+1=60% z(y*hazK  
 T+2=10% GEUg]nw  
07v!Zj  
%kshQ%P)?  
   @~td`Z?1y  
带有光栅的区域通道 5
`D-  
]e?x# <S  
 区域定义 Y"g.IK`V  
-可以在给定区域内定义一个衍射光栅。 r=.A'"Kf  
-我们在第二表面上增加一个矩形区域（侧长2.25mm），沿x方向以8.2mm为中心。 +j14Q$  
-定义一个2微米周期的理想光栅，指定的衍射系数为: I0'WOV70  
 T0=10% 0#o/^Ah  
 T+1=60% kS5_&#  
 T+2=10% >/$Fh:R-  
a?h*eAAc.  
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