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在本示例中,模拟了衰减相移掩模。 该掩模将线/空间图案成像到光刻胶中。 掩模的单元格如下图所示: w5*Z! z>;$im
@b2`R3}9R `2`fiKm 掩模的基板被具有两个开口的吸收材料所覆盖。在其中一个开口的下方,位于相移区域。 (DDyK[t+VX HG%Z"d 由于这个例子是所谓的一维掩模(线/空间模式),在xy平面中有一个2D仿真域。在源文件中设置3DTo2D = yes标签,以执行用户自定义传入方向的自动转换。启用此标记后,就可以描述传入区域,就好像光轴与Z轴重合一样。这允许统一设置2D和3D的掩模模拟项目。由于光线从基板下方进入,光线的传输方向为+Z方向。 +E/y ~s ,LZX@'5 相位分布如下图所示: `Gd$:qV '7*=`q{
e'2Y1h Ri#H.T<' 相移区域的影响清晰可见,导致开口上方光束的180度相位差。同时光场的S和P分量也显示出相位差: fr[3:2g-_ R^*K6Ad
MgJ36zM +Llo81j& ~GJN@ka4% QQ:2987619807 {f/ ]5x(_
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