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台积电1nm取得重要进展 逼近硅芯片的物理极限 它可以大幅降降低电阻并提高电流，使其效能媲美硅材料，有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。 论文中写道，目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm，单位面积容纳的晶体管数量逼近硅材料物理极限，效能无法逐年显著提升。此前，二维材料被业内寄予厚望，却始终掣肘于高电阻、低电流等问题。  此次三方合作中，麻省理工是半金属铋电极发现者，台积电将铋（Bi）沉积制程进行优化，台大团队运用氦离子束微影系统（Helium-ion beam lithography）将元件通道成功缩小至纳米尺寸，终于大功告成，耗时长达一年半的时间。 4月下旬的时候台积电更新了其制程工艺路线图，称其4纳米工艺芯片将在2021年底进入“风险生产”阶段，并于2022年实现量产；3纳米产品预计在2022年下半年投产， 2纳米工艺正在开发中。 分享到：
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最新评论
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james951 2021-05-19 09:22科技的发展真快啊
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fiberlaser 2021-05-19 09:39那1nm之后呢？到极限了后面怎么发展？
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chenzkfirst 2021-05-19 09:39台积电将铋（Bi）沉积制程进行优化，台大团队运用氦离子束微影系统（Helium-ion beam lithography）将元件通道成功缩小至纳米尺寸，终于大功告成，耗时长达一年半的时间。
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l12345678l 2021-05-19 09:491nm以后的下一代会怎样发展
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silence唯爱 2021-05-19 10:11追上老外，尽快国产
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isolation 2021-05-19 11:21这么快就4nm了。。
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photonpool 2021-05-19 14:47利用半金属铋 Bi 作为二维材料的接触电极，可以大幅降低电阻并提高电流，实现接近量子极限的能效，有望挑战 1nm 以下制程的芯片。
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有何不可 2021-05-19 15:56进步神速，太快了
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影子鱼 2021-05-19 16:27谢谢楼主分享。。
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青山一道 2021-05-19 16:51收付台湾的必要性看出来了