台积电1nm取得重要进展 逼近硅芯片的物理极限

发布:cyqdesign 2021-05-18 07:49 阅读:2442
前不久,IBM公布了2nm技术路线,让人倍感振奋。虽然摩尔定律速度放缓,但硅晶片微缩的前景依然广阔。不过,2nm之后就是1.5nm、1nm,硅片触及物理极限。日前,台大、台积电和麻省理工共同发布研究成果,首度提出利用半金属Bi作为二维材料的接触电极。 hrt-<7U  
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它可以大幅降降低电阻并提高电流,使其效能媲美硅材料,有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。 V7i`vo3Cc  
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论文中写道,目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm,单位面积容纳的晶体管数量逼近硅材料物理极限,效能无法逐年显著提升。此前,二维材料被业内寄予厚望,却始终掣肘于高电阻、低电流等问题。 rWmi 'niu  
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此次三方合作中,麻省理工是半金属铋电极发现者,台积电将铋(Bi)沉积制程进行优化,台大团队运用氦离子束微影系统(Helium-ion beam lithography)将元件通道成功缩小至纳米尺寸,终于大功告成,耗时长达一年半的时间。 +c_CYkHJ/  
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4月下旬的时候台积电更新了其制程工艺路线图,称其4纳米工艺芯片将在2021年底进入“风险生产”阶段,并于2022年实现量产;3纳米产品预计在2022年下半年投产, 2纳米工艺正在开发中。
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最新评论

wmh1985 2021-05-19 08:47
目前硅基半导体已经推进到5nm和3nm,单位面积容纳的晶体管数量逼近硅材料物理极限,效能无法逐年显著提升。此前,二维材料被业内寄予厚望,却始终掣肘于高电阻、低电流等问题。
copland 2021-05-19 08:51
电子的直径是多少呢?越来越窄,哪天把电子给卡住!
mmttxiaoxiao 2021-05-19 08:59
尖端科技
songshaoman 2021-05-19 09:02
还不是为了挣积分
猫爷爷不吃鱼 2021-05-19 09:03
做科研的真的太强了
光电青年 2021-05-19 09:05
首度提出利用半金属Bi,使其效能媲美硅材料,有助于半导体行业应对未来1纳米世代的挑战。 ~S9nLb:O{  
材料的研发和创新性使用一直是光学设备的掣肘之一,光学仪器的原理大多在上个世纪就已臻至完善,虽然还有量子纠缠等量子化效应,但和应用层面相距甚远。 FKP^f\!M  
台积电,台湾的半导体听人说其研发能力比起大陆要先进不少,我在学校的时候就听到过它的鼎鼎大名。
木子示羊 2021-05-19 09:09
台积电1nm取得重要进展 逼近硅芯片的物理极限
churuiwei 2021-05-19 09:13
单位面积容纳的晶体管数量逼近硅材料物理极限
光学白小白 2021-05-19 09:14
下一步是光芯片吧!
元素天蝎 2021-05-19 09:20
硅芯片就近还能强势多久
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