MEMS技术发展史

MEMS技术发展史 eX l%Qs#Y  
MEMS技术发展的时间轴，从从1947年制造的第一个点接触晶体管开始，到1999年的光网络交换机结束，50多年间，MEMS通过诸多创新，促进了当前MEMS技术和纳米技术的发展。 $vw}p.  
下面关于MEMS历史上主要的35项里程碑，看看你知道多少? V&,<,iNN  
1948年，贝尔实验室发明锗晶体管(William Shockley) Y%CL@G60  
1954年，锗和硅的压阻效应(C.S.Smith) B1d%#  
1958年，第一块集成电路(IC)(J.S.Kilby 1958年/Robert Noyce 1959年) UB&S 2
g  
1959年，"底部有很多空间"(R.Feynman) J%Z)#  
1959年，展示了第一个硅压力传感器(Kulite) 1&@wb'MBs.  
1967年，各向异性深硅蚀刻(H.A.Waggener等) dnX`F5zd  
1968年，谐振门晶体管获得专利(表面微加工工艺)(H.Nathanson等) 2p3u6\y  
1970年，批量蚀刻硅片用作压力传感器(批量微加工工艺) i3kI2\bd/  
1971年，发明微处理器 ~g4rGz  
1979年，惠普微加工喷墨喷嘴 .f92^lu9  
1982年，"作为结构材料的硅"(K.Petersen) 6
02eLV)  
1982年，LIGA进程(德国KfK) MY<!\4/  
1982年，一次性血压传感器(霍尼韦尔) }'.Sn{OWf  
1983年，一体化压力传感器(霍尼韦尔) -{:LxE  
1983年，"Infinitesimal Machinery"，R.Feynman。 cdtzf:#q  
1985年，传感器或碰撞传感器(安全气囊) Wse*gO  
1985年，发现"Buckyball" 4|Gs(^nU  
1986年，发明原子力显微镜 8{4D|o#O  
1986年，硅片键合(M.Shimbo) !DX/^b  
1988年，通过晶圆键合批量制造压力传感器(Nova传感器) c7nk~K[6  
1988年，旋转式静电侧驱动电机(Fan、Tai、Muller) fkv{
\zN  
1991，年多晶硅铰链(Pister、Judy、Burgett、Fearing)。 Lq $4.l[j  
1991年，发现碳纳米管 hA,rSq  
1992年，光栅光调制器(Solgaard、Sandejas、Bloom) u&d v[  
1992年，批量微机械加工(SCREAM工艺，康奈尔) DHumBnQ  
1993年，数字镜像显示器(德州仪器) ^SSOh#  
1993年，MCNC创建MUMPS代工服务 Pl5NHVr  
1993年，首个大批量生产的表面微加工加速度计(Analog Devices) KGE-RK  
1994年，博世深层反应离子蚀刻工艺获得专利 L^al1T  
1996年，Richard Smalley开发了一种生产直径均匀的碳纳米管的技术 v!RB(T3  
1999年，光网络交换机(朗讯) !qGx(D{\  
2000年代，光学MEMS热潮 W$MEbf%1
 
2000年代，BioMEMS激增 *~<]|H5~  
2000年代，MEMS设备和应用的数量不断增加。 #&2N,M!Q  
2000年代，NEMS应用和技术发展#半导体# #芯片# #mems# )|^<woli,  
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