MEMS技术发展史

MEMS技术发展史 g:
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MEMS技术发展的时间轴，从从1947年制造的第一个点接触晶体管开始，到1999年的光网络交换机结束，50多年间，MEMS通过诸多创新，促进了当前MEMS技术和纳米技术的发展。 d!i#@XZ^  
下面关于MEMS历史上主要的35项里程碑，看看你知道多少? `Z:5E  
1948年，贝尔实验室发明锗晶体管(William Shockley) J<4egk4  
1954年，锗和硅的压阻效应(C.S.Smith) @GpM4>:  
1958年，第一块集成电路(IC)(J.S.Kilby 1958年/Robert Noyce 1959年) ,>rr|O  
1959年，"底部有很多空间"(R.Feynman) |_^A$Hv  
1959年，展示了第一个硅压力传感器(Kulite) wtY*{m2  
1967年，各向异性深硅蚀刻(H.A.Waggener等) cnR.J  
1968年，谐振门晶体管获得专利(表面微加工工艺)(H.Nathanson等) XH?}0D(  
1970年，批量蚀刻硅片用作压力传感器(批量微加工工艺) hS}d vZa  
1971年，发明微处理器 lnk`D(>W  
1979年，惠普微加工喷墨喷嘴 8> -3G  
1982年，"作为结构材料的硅"(K.Petersen) 1dy>a=W  
1982年，LIGA进程(德国KfK) V{j>09u  
1982年，一次性血压传感器(霍尼韦尔)
Uczb"k5  
1983年，一体化压力传感器(霍尼韦尔) $\ 0d9^)&  
1983年，"Infinitesimal Machinery"，R.Feynman。 8 N5ga  
1985年，传感器或碰撞传感器(安全气囊) t)*MLg<C  
1985年，发现"Buckyball" nCz_gYcIx  
1986年，发明原子力显微镜 9{;cp?\)M  
1986年，硅片键合(M.Shimbo) "XEKoeG{  
1988年，通过晶圆键合批量制造压力传感器(Nova传感器) 5zqlK-$  
1988年，旋转式静电侧驱动电机(Fan、Tai、Muller) v&NC` dVR  
1991，年多晶硅铰链(Pister、Judy、Burgett、Fearing)。 ]}~[2k.  
1991年，发现碳纳米管 &GC`4!H  
1992年，光栅光调制器(Solgaard、Sandejas、Bloom) g0P^O@8  
1992年，批量微机械加工(SCREAM工艺，康奈尔) &F*L=Ng  
1993年，数字镜像显示器(德州仪器) Ie[8Iot?bn  
1993年，MCNC创建MUMPS代工服务 LyRU2A  
1993年，首个大批量生产的表面微加工加速度计(Analog Devices) d3$&I==;:  
1994年，博世深层反应离子蚀刻工艺获得专利 /NH9$u.g  
1996年，Richard Smalley开发了一种生产直径均匀的碳纳米管的技术 MMZdF{5@G  
1999年，光网络交换机(朗讯) K9#=@}!3L  
2000年代，光学MEMS热潮 .%D9leiRe  
2000年代，BioMEMS激增 ){PL6|5x  
2000年代，MEMS设备和应用的数量不断增加。 >0W:snNK  
2000年代，NEMS应用和技术发展#半导体# #芯片# #mems# Tq r]5  

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