MEMS技术发展史

MEMS技术发展史 8et.A  
MEMS技术发展的时间轴，从从1947年制造的第一个点接触晶体管开始，到1999年的光网络交换机结束，50多年间，MEMS通过诸多创新，促进了当前MEMS技术和纳米技术的发展。 V0'_PR@;  
下面关于MEMS历史上主要的35项里程碑，看看你知道多少? NP5;&}uv*!  
1948年，贝尔实验室发明锗晶体管(William Shockley) sKuPV
  
1954年，锗和硅的压阻效应(C.S.Smith) +jpC%o}C  
1958年，第一块集成电路(IC)(J.S.Kilby 1958年/Robert Noyce 1959年) I6,sN9` K  
1959年，"底部有很多空间"(R.Feynman) Zfn390_  
1959年，展示了第一个硅压力传感器(Kulite) .3*VkAs  
1967年，各向异性深硅蚀刻(H.A.Waggener等) &+>)H$5  
1968年，谐振门晶体管获得专利(表面微加工工艺)(H.Nathanson等) 20p/p~<  
1970年，批量蚀刻硅片用作压力传感器(批量微加工工艺) ?{M!syD<  
1971年，发明微处理器 3O!TVSo  
1979年，惠普微加工喷墨喷嘴 FWzf8*^  
1982年，"作为结构材料的硅"(K.Petersen) 8ncgTCH:  
1982年，LIGA进程(德国KfK) Al(u|LbQ  
1982年，一次性血压传感器(霍尼韦尔) 1WMwTBHy+  
1983年，一体化压力传感器(霍尼韦尔) ]VS$ ?wD  
1983年，"Infinitesimal Machinery"，R.Feynman。 95CCje{o_  
1985年，传感器或碰撞传感器(安全气囊) 0kB!EJ<OdG  
1985年，发现"Buckyball" 9Ucn 6[W  
1986年，发明原子力显微镜 >J[Wd<~t  
1986年，硅片键合(M.Shimbo)  >o"3:/3  
1988年，通过晶圆键合批量制造压力传感器(Nova传感器) Ug|o($CY  
1988年，旋转式静电侧驱动电机(Fan、Tai、Muller) @43o4,  
1991，年多晶硅铰链(Pister、Judy、Burgett、Fearing)。 T c{]w?V  
1991年，发现碳纳米管 KU}HVM{  
1992年，光栅光调制器(Solgaard、Sandejas、Bloom) ]Ak@!&hyak  
1992年，批量微机械加工(SCREAM工艺，康奈尔) q$=EUB"C  
1993年，数字镜像显示器(德州仪器) StuDtY  
1993年，MCNC创建MUMPS代工服务 Ghgo"-,#  
1993年，首个大批量生产的表面微加工加速度计(Analog Devices) %wp#vO-$  
1994年，博世深层反应离子蚀刻工艺获得专利 n/3gx4.g  
1996年，Richard Smalley开发了一种生产直径均匀的碳纳米管的技术 GL_a`.=@  
1999年，光网络交换机(朗讯) \4.U.pKY  
2000年代，光学MEMS热潮 L('G1J}  
2000年代，BioMEMS激增 = ?hx+-'  
2000年代，MEMS设备和应用的数量不断增加。 (]mh}=:KDg  
2000年代，NEMS应用和技术发展#半导体# #芯片# #mems# $*{$90Q  

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