摘要：半导体产业是高科技、信息化时代的支柱。光刻技术，作为半导体产业的核心技术之一，已成为世界各国科研人员的重点研究对象。本文综述了激光等离子体13.5 nm极紫外光刻的原理和国内外研究发展概况，重点介绍了其激光源、辐射靶材和多层膜反射镜等关键系统组成部分。同时，指出了在提高激光等离子体13.5 nm极紫外光源输出功率的研究进程中所存在的主要问题，包括提高转换效率和减少光源碎屑。特别分析了目前已实现百瓦级输出的日本Gigaphoton公司和荷兰的ASML公司的极紫外光源装置。最后对该项技术的发展前景进行了总结与展望。 vu;pIL N
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关键词：13.5 nm极紫外光刻技术；激光等离子体；极紫外光源；转换效率；光源碎屑；预脉冲激光
