半导体功率器件动态参数的分析及测试结课汇总

发布:米格实验室 2020-02-20 09:55 阅读:1973
主讲人:梁闻梁老师本科毕业于北京理工大学,获北京航空航天大学工程硕士学位;现任北京循礼微电子有限公司总经理。 梁老师长期从事半导体功率器件动态,静态,热阻,雪崩等参数的测试工作,推广测试技术及测试标准,销售测试设备。也是国内较早研究动态参数的专家之一。 T=T1?@2C  
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本讲座是以美国军方MIL-STD-750之标准为经,以国外功率器件生产厂家所发布的技术规格书为纬。深入地分析了IGBT/MOSFET器件动态参数之机理,逐一研究了其测试方法,本讲座共分为4个课时。 Q|W~6  
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半导体功率器件动态参数的分析及测试(第一讲 开关时间): ZTi KU)  
https://m.qlchat.com/wechat/page/topic-simple-video?topicId=2000007852400866 :stA]JB# w  
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半导体功率器件动态参数测试(第二讲 栅电荷和电容): T|h'"3'  
https://m.qlchat.com/wechat/page/topic-intro?topicId=2000007876518614 XbW 1`PH  
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半导体功率器件动态参数的分析及测试(第三讲 二极管反向和雪崩参数测试): T2MXwd&l  
https://m.qlchat.com/wechat/page/topic-intro?topicId=2000007897428830 o<i\1<eI  
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半导体功率器件动态参数的分析及测试(第四讲 短路热阻功率循环): %9`\ 7h7K  
https://m.qlchat.com/wechat/page/topic-simple-video?topicId=2000007914948258
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