半导体术语含义（三）

101) Ion Implanter 离子植入机

102) Ion Source 离子源

离子植入机中产生所要植入杂质离子的部分，主要由Arc Chamber ,Filament组成，杂质气

体或固体通入Arc Chamber，由Filament产生的电子进行解离而产生离子。

103) IPA 异丙醇

  Isopropyl Alcohol的简称，在半导体制造中，用来作为清洗溶剂，常用来擦拭机台操

作面板等，也作为SOG等化学液体的溶剂。

104) Isotropic Etching等向性蚀刻

        在蚀刻反应中，除了纵向反应发生外﹒横向反应亦同时发生(见左图)，此种蚀刻即称之为等向性蚀刻，一般化学湿蚀刻多发生此种现象。

         干式蚀刻，其蚀刻后的横截面具有异向性蚀刻特性 (Anisotropic)，即可得到较陡的图形

105) Latch up:闭锁效应

CMOS组件里的底材、阱及PMOS的漏极与NMOS的源极，在某些条件下，会形成一个如图（1）所示的寄生的pnpn二极管。这种pnpn二极管的电流（I）对

  

电压（V）的操作曲线则如图。其中图中的IH，为使pnpn二极管处于运作（Acting）状态时所需的最低电流称之为“引发电流（triggering current）”。当I≥IH发生之后，CMOS电路的功能将暂时或永久性的丧失，我们称这个现象为“闭锁（Latch up）”。即，如果CMOS组件的设计或制作不当，这种寄生于CMOS组件里的“pnpn二极管”，有可能处于运作的状态，而影响到CMOS的正常运作。所以在使用CMOS的设计时，务必注意使这个pnpn二极管随时处于“闭”的状态，即I<IH，以防止“闭锁现象”的发生。

防止闭锁的方法很多，最简单的方式就是把CMOS的n阱（内有PMOS）与NMOS彼此间的远离而不发生。不过这将使半导体组件在芯片上的集成度下降，所以并不是很好的方法最普遍防闭锁的方法是“外延硅底材（EPI substrate）”

这种防制方法的原理，是在原本高掺杂的底材上，加上一层轻微掺杂的单晶硅层，已做为CMOS制程的的底材。因此CMOS是直接建筑在低掺杂的EPI层上（不是以往的底材上）的。而高掺杂底材作为接地的板面（ground plane）。假如这层EPI够薄（但要比阱深度厚），则图中的直立的pnp双载子寄生电晶体的电流将不易横向流向寄生的npn电晶体，而流向高掺杂的硅底材（掺杂浓度高导电性好）。因此硅底材接地，寄生pnp和npn的闭锁现象就可以被抑制了。外延单晶硅层的厚度宜薄，这样发生闭锁的引发电流将越高，闭锁将不容易发生，但考虑到EPI层太薄，底材杂质将会进入EPI层，造成浓度的改变，故需严格控制以避免EPI太薄或太厚所带来的问题。

106) Layout布局

         Layout：此名词用在IC设计时，是指将设计者根据客户需求所设计的线路，经由CAD(计算机辅助设计)，转换成实际制作IC时，所需要的光罩布局，以便去制作光罩。因为此一布局工作﹒关系到光罩作出后是和原设计者的要求符合，因此必须根据一定的规则，好比一场游戏一样，必须循一定的规则，才能顺利完成﹒而布局完成后的图形便是IC工厂制作时所看到的光罩图形。

107) Lightly Doped Drain 轻掺杂集极

简称LDD，可以防止热电子效应(Hot Electron/Carrier Effect)；方法是采用离子植入法，在

原来的MOS的源极和汲极接近通道的地方，再增加一组掺杂程度较原来n型的源极与汲极为低的n型区。缺点是制程复杂且轻掺杂使S/D串联电阻增大，导致组件操作速度降低。

108) Local Oxidation 区域氧化法

Local Oxidation of Silicon 即区域氧化，简称LOCOS,是Field Oxide一种制作方法,即在有SiN层作为幕罩的情况下让芯片进入炉管进行Field Oxide的制作。

109) Load Lock传送室

3H#,qug$  

系统起初门均关闭 ，其传送芯片的动作为：传送芯片→打开Load Lock A→将芯片放入，关闭，抽真空→打开ˉ，将芯片放入反应室，抽其空→开始蚀刻或溅镀→蚀刻OK→打开，将芯片移至→,关上，抽真空，再破真空→打开Load Lock B→送出芯片→关上′真空→系统恢复起初状。

110) Lot Number批号

批号乃为在线所有材料的"身份证"，key in批号如同申报流动户口，经由SMS 系统藉以管制追踪每批材料的所在站别，并得以查出每批材料的详细相关数据，故为生产过程中的重要步骤。批号为7码，其编排方法如下 :

在半导体行业里，一般在P-Sub上植入P以形成N-well,以便为后期形成PMOS.

119) Nanospec

一种用于量测膜厚的测量仪器。

120) P/ N-Type Semiconductor  P/N型半导体

一般金属由于阻值相当低(10-2Ω-cm以下)，因此称之为良导体，而氧化物等阻值高至105Ω-cm以上，称之非导体或绝缘体。若阻值在10-2~10-5Ω-cm之间，则名为半导体。

        IC工业使用的硅芯片，阻值就是在半导体的范围，但由于Si(硅)是四价键结(共价键)的结构，若掺杂有如砷(As)，磷(P)等五价元素，且占据硅原子的地位(Substitutional Sites)，则多出一个电子，可用来导电，使导电性增加，称之为N型半导体。若掺杂硼(B)等三价元素，且仍占据硅原子的地位，则键结少了一个电子，因此其它电子在足够的热激发下，可以过来填补，如此连续的电子填补，称之为定电洞传导，亦使硅的导电性增加，称为P型半导体。

          因此N型半导体中，其主要常电粒子为带负电的电子，而在P型半导体中，则为常正电的电洞。在平衡状况下(室温)不管N型或P型半导体，其电子均与电洞浓度的乘积值不变。故一方浓度增加，另一方即相对减少。

145) Native Oxide 原始氧化层

当我们把硅芯片暴露在含氧的环境里时，例如氧气或水，芯片表面的硅原子便会进行如下（一）（二）所示的氧化反应，然后在芯片的表面长出一层二氧化硅层。因为（二）式所示的氧化反应涉及到水分子，虽然进行反应的水分子不见得是以液态的形式存在，但我们习惯以干式氧化（Dry Oxidation）来称呼（一）式的反应，而以湿式氧化（Wet Oxidation）来表示（二）式。因为这两个反应在室温下便得以进行，所以硅芯片的表面通常都会由一层厚度约在数个Å到20Å不等的SiO2所覆盖。这层因为空气里的氧以及水分子所自然形成的SiO2,则称为“原始氧化层（Native Oxidation）”。

                Si(s)   +  O2(g)   =  SiO2(s)                  (一)

                Si(s)  +  2H2O(g) =  SiO2(s)   + 2H2(g)）      (二)

146) Needle Valve 针阀

针状阀装在圆锥形阀座上的有细杆的阀，用于准确地调整液体或气体的流动。

147) Nitric Acid 硝酸

一种腐蚀性液态无机酸HNO3,通常由氨的催化氧化或硫酸与硝酸盐反应制得,主要用作氧化剂(如火箭推进剂),并用于硝化作用以及肥料、炸药、染料、硝基烷和各种其它有机化合物的制造中。

         硝酸是透明，无色或微黄色，发烟，易吸湿的腐蚀性液体，能腐蚀大部份金属。其黄色是由于曝光所产生的二氧化氮，为强氧化剂，可与水混合，沸点78℃，比重1.504。对皮肤有腐蚀性，为强氧化剂，与有机物接触有起火危险。清洗炉管用。

148) NSG  Nondoped Silicate Glass无渗入杂质硅酸盐玻璃

       NSG为半导体集成电路中的绝缘层材料，通常以化学气相沉积的方式生成，具有良好的均匀覆盖特性以及良好的绝缘性质。

主要应用于闸极与金属或金属与金属间高低不平的表面产生均匀的覆盖及良好的绝缘，并且有助于后续平坦化制程薄膜的生成。

149) Nozzle 喷嘴

管嘴，喷嘴管子等对象的尾端的带有开口的突起部分，用于控制和引导水流。

150) OCAP

OCAP 是 Out of Control Action Plan 的缩写，中文称为制程异常处理程序

它是在处理制程异常时的一套标准步骤，可供处理人员遵循，依序将问题厘清，并加以解决。

更详细的说，OCAP乃是由一连串的问题及行动指示所组成，以流程图的方式来指示我们，当制程违反管制规则时，应采取的步骤及措施。

OCAP 是由制造部、制程、设备一同来制定及检讨。

OCAP 须不断的修订，以符合生产线实际的需要。