芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 \O,yWyU4  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 zF? 6"  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 ,K30.E  
Lm1JiPs d  
对于银浆烧结： eE;j#2SEO  
1，银浆问题 \CS4aIp  
2，杂质问题 *%atE  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 7xWJw  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 e5;YY  
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x]t:  
对于合金粘结： C}L2'l,  
1，金-铅系统 +Oo-8f*  
2，锡-铅系统 KilN`?EJ  
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引线键合的失效机理： M[-/&;`f@  
CC$rt2\e  
引线键合的主要方法： fgF@ x  
   热压焊，超声焊，面键合。 Y$./!lVY  
引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） :DuEv:;v  
/_8nZVu  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 K_.|FEV  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 IEkbVIA(  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 [;:ocy  
外引线的失效。 FBzsM7]j  
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开短路的可能原因： {FILt3f;  
V;Ln|._/t  
封装工艺方面 VrhHcvnZ  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 2<'ol65/c  
)}_}D+2  
芯片表面水汽吸附。 :gRVa=}=  
钝化层不良。  >Af0S;S  
芯片氧化层不良。 ol {N^fiK  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 ?UeV5<TewS  
电迁移。 qn}VW0!  
h^14/L=|  
铝硅共溶。 ;.R) uCd{=  
金属间化合物。 mW,b#'hy  
芯片焊接疲劳。 /{I-gjovy  
热不匹配。 C?<-`$0  
外来异物。 x7jFYC  
氧化层台阶处金属膜断路。