芯片焊接的失效机理

目的：芯片与管座牢固粘结 W.u+R?a=  
要求：芯片与管座之间形成良好的欧姆接触并有良好的导电性。 v;_m1UpuW  
方式：银浆烧结，合金（共晶）粘结，导电胶烧结，环氧树脂粘结，高温聚酰亚胺粘结。 vKrOIBP  
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对于银浆烧结： NL`}rj  
1，银浆问题 G':wJ7[]`  
2，杂质问题 oY)xXx  
3，硅的氧化及镀镍，镀银的不良。 r2dU>U*:4  
4，银浆与基材结合力差引起的问题。 }.`no  

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对于合金粘结： r:rM~``  
1，金-铅系统 2;&K*>g&.  
2，锡-铅系统 <K6gzi0fl  
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引线键合的失效机理： w4I&SLm-b  
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引线键合的主要方法： EL/~c*a/  
   热压焊，超声焊，面键合。 ?x
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引线：铝-铝超声焊，金-铝热压焊（包括楔形和球焊） 5pC+*n.  
@-B)a Z  
工艺问题。金属互化物使金铝系统失效。 o;w5;TkY  
热循环使引线疲劳。沾污造成引线腐蚀而开路。 6b!F7kyg  
内涂料开裂造成断丝。压焊应力过大造成失效。 K+WbxovXU  
外引线的失效。 ,hO*W-a%1  
^~dBO%M^  
开短路的可能原因： 5B:%##Ug5  
UYLCzv~W  
封装工艺方面 ohLM9mc9  
  表现为断丝，塌丝，碰丝，内引脚相碰，点脱，球脱，球飘等。占封装造成开短路的90%以上。 ?LxBH-o(  
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芯片表面水汽吸附。 c\P,ct }>  
钝化层不良。 &7-ENg9 [  
芯片氧化层不良。 nr*nX
  
内应力使芯片产生芯裂，金属化层断裂，或金丝脱落。 v,}
Mn7:  
电迁移。 8D]&wBR:  
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铝硅共溶。  ,>C`|  
金属间化合物。 >_3P6-L>  
芯片焊接疲劳。 P0 4Q_A  
热不匹配。 K$1(HbL  
外来异物。 0gevn  
氧化层台阶处金属膜断路。