集成电路发展历史

发布:探针台 2019-10-29 15:00 阅读:1850
集成电路发展历史 /Zap'S/  
 1947年:贝尔实验室肖克莱等人发明了晶体管,这是微电子技术发展中第一个里程碑; Tf) qd\  
 1950年:结型晶体管诞生;  PW x9CT  
 1950年: R Ohl和肖特莱发明了离子注入工艺 MJd!J ]E6  
 1951年:场效应晶体管发明; YN#i^(  
 1956年:C S Fuller发明了扩散工艺; h.E8G^}@  
 1958年:仙童公司Robert Noyce与德仪公司基尔比间隔数月分别发明了集成电路,开创了世界微电子学的历史; D$d8u=S  
 1960年:H H Loor和E Castellani发明了光刻工艺; u;GS[E4  
 1962年:美国RCA公司研制出MOS场效应晶体管; @-Tt<pl'L  
 1963年:F.M.Wanlass和C.T.Sah首次提出CMOS技术,今天,95%以上的集成电路芯片都是基于CMOS工艺; -uXf?sTV  
 1964年:Intel的摩尔提出摩尔定律,预测晶体管集成度将会每18个月增加1倍; 9^,MC&eb  
    1981年:256kb DRAM和64kb CMOS SRAM问世; E4 GtJ`{X  
 1984年:日本宣布推出1Mb DRAM和256kb SRAM; @r^a/]5D  
 1985年:80386微处理器问世,20MHz; Stq&^S\x69  
 1988年:16M DRAM问世,1平方厘米大小的硅片上集成有3500万个晶体管,标志着进入甚大规模集成电路(ULSI)阶段; N?TXPY  
 1989年:1Mb DRAM进入市场; 3,=97Si=  
 1989年:486微处理器推出,25MHz,1μm工艺,后来50MHz芯片采用 0.8μm工艺; oW3j|V  
 1992年:64M位随机存储器问世; s4/4o_[W  
 1993年:66MHz奔腾处理器推出,采用0.6μm工艺; _ ]@   
 1995年:Pentium Pro, 133MHz,采用0.6-0.35μm工艺; nj$TdwZbK  
 1997年:300MHz奔腾Ⅱ问世,采用0.25μm工艺; zgXg-cr  
 1999年:奔腾Ⅲ问世,450MHz,采用0.25μm工艺,后采用0.18μm工艺; mZQW>A]iE  
    1966年:美国RCA公司研制出CMOS集成电路,并研制出第一块门阵列(50门); N"1o> !  
 1967年:应用材料公司(Applied Materials)成立,现已成为全球最大的半导体设备制造公司; :jlKj}4A  
 1971年:Intel推出1kb动态随机存储器(DRAM),标志着大规模集成电路出现; ul$k xc=N  
 1971年:全球第一个微处理器4004由Intel公司推出,采用的是MOS工艺,这是一个里程碑式的发明; $L7Z_JD5  
 1974年:RCA公司推出第一个CMOS微处理器1802; \ :To\6\Ri  
 1976年:16kb DRAM和4kb SRAM问世; F_.rLgGY  
 1978年:64kb动态随机存储器诞生,不足0.5平方厘米的硅片上集成了14万个晶体管,标志着超大规模集成电路(VLSI)时代的来临; n@xC?D:t*  
 1979年:Intel推出5MHz 8088微处理器,之后,IBM基于8088推出全球第一台PC; u0 myB/`  
    2000年: 1Gb RAM投放市场; A[:0?Ez=  
 2000年:奔腾4问世,1.5GHz,采用0.18μm工艺; 'c7C*6;a  
 2001年:Intel宣布2001年下半年采用0.13μm工艺。 ICA p  
   2003年:奔腾4 E系列推出,采用90nm工艺。 2o2jDQ|7  
   2005年:intel 酷睿2系列上市,采用65nm工艺。 yNCd} 4Ym5  
   2007年:基于全新45纳米High-K工艺的intel酷睿2 E7/E8/E9上市。 R8|H*5T?+  
   2009年:intel酷睿i系列全新推出,创纪录采用了领先的32纳米工艺, wV8_O)[  
   SO @d\H  
    并且下一代22纳米工艺正在研发。 (iQ< [3C=  
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