高德红外制冷探测器获突破 促进我国芯片核心能力提升

高德红外今天发布公告，国家技术转移中部中心近期组织行业专家对公司研制的“1280×1024规模、12μm像元尺寸的碲镉汞制冷型红外焦平面阵列探测器”项目进行了评价，专家组一致认为该成果整体达到国际先进水平，具备红外探测器产业化的基础，是典型的高新技术军民两用产品，具有良好的社会效益和经济效益前景，建议进一步加快延伸开发及推广应用。 5a'`%b{{  
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芯片产业公告称，公司使用高质量的材料，高精度的芯片加工和低噪声的电路设计，实现了小像元、百万像素的技术突破。 m$=}nI(H  
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上证报记者采访了解到，制冷红外探测器使用时需要利用特殊的设备冷却至液氮温度（约零下200度），这种由特殊的半导体材料制作并在冷却的环境下工作的探测器芯片，具有极高灵敏度，主要应用于军事、航天的高端领域，民品领域亦有重大作用，主要用于远洋船舶、海事船舶、海事执法舰船等全天候目标监控、搜索等。 {0w
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据公告，高德公司本次通过评审的1280×1024规模、12μm像元尺寸的红外芯片，是该公司继实现非制冷1280×1024@12μm探测器芯片研制技术后，在制冷型大规模探测器芯片领域取得的又一重大突破，为我国大面阵、小像元碲镉汞红外焦平面探测器芯片产业化扫除障碍，打破红外成像系统中高端核心芯片的技术垄断、实现进口替代，有力促进了我国高端碲镉汞材料和探测器芯片产业核心能力的提升。