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    [讨论]MgF2的镀膜参数讨论 [复制链接]

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    离线yzhuang
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    只看楼主 倒序阅读 楼主  发表于: 2018-10-10
    一般情况下，如果是一个超宽带增透膜，就增透效果来说，最好的低折射率材料MgF2，但是关于MgF2的镀膜，温度基本上要300摄氏度左右最佳，参考资料是不能加离子源，300摄氏度镀膜抽真空时间会变得较长，且如果高折射率材料是Ta2O5的话，对于使用电子枪蒸发而言，必须进行离子源辅助才会得到基本无吸收薄膜，如果高折射率材料是Ti3O5的话，300摄氏度可能会有结晶，吸收也有可能会增加。这就跟MgF2的镀膜产生了冲突，我曾经进行过加APS源尝试，但无论怎么改变源的参数，还是避免不了吸收，我想看看大家是怎么做的，希望能得到一个最佳的做法。
     
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    离线ouyuu
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    只看该作者 1楼 发表于: 2018-10-11
    可以试下离子源（Ar+O2)， h1 y6`m9  
    离子源先只用Ar，等镀膜到了一定厚度（比如说1nm）再用部分的O2。 B@:11,.7  
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    离线875192871
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    只看该作者 2楼 发表于: 2018-10-12
    我们公司镀膜也有吸收  把镀膜后产品烘烤下 吸收会减弱很多  目前是这样做的
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    离线光迹
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    只看该作者 3楼 发表于: 2018-10-23
    用钛酸镧搭配氟化镁
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    离线ouyuu
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    只看该作者 4楼 发表于: 2018-10-24
    如果你只有APS源的话，能量最高也就200V了， a^9-9*  
    其实并不适用TiO2。 !'-|]xx(  
    换种材料吧
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    离线红尘尽碎
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    只看该作者 5楼 发表于: 2019-05-12
    学习中
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    离线17873333033
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    只看该作者 6楼 发表于: 2020-03-16
    H4-MGF2这两种药材可以做，或者用H4-SIO2这两种也可以，你加我微信详细的工艺沟通一下：17873333033
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