IBM正尝试利用石墨烯超越7nm制程

早在4年前，IBM投入了30亿美元用来研发纳米电子器件，最近IBM的研究人员首次实现了在石墨烯表面以97%的准确性在特定的石墨烯基底上沉积如量子点、碳纳米管、层状纳米材料等。采用了纳米材料经典的自上而下和自下而上的混合工艺， SrKF\h%/+  
ZBYmAD  

图片:9172cfe893116d7.png

kj[[78  
G'bp  

图片:d2d1dd37f1dd0c3.png

2<'gX>TW  
q8p 'bibY  

图片:c8b11b08bfe915d.png

/)G9w]|T  
1|%$ie  

图片:blank.gif

^.4<#Qs  
<&NR3^Eq  

图片:92df2f58f4110d4.png

%1lLUgf3G/  
a( qw  
1、在碳化硅基底上生长石墨烯，再揭下放在硅/氧化硅晶片上； z4<h)hh"k6  
2、刻蚀石墨烯，产生层积位点，没被刻蚀的石墨烯充当下一步的电极； U_J|{*4S.!  
3、在交流电场中使溶液里的纳米材料被附在石墨烯层积位点附近； *zx;81X=  
4、除去石墨烯层积电极。 i44`$ps  
这种方法的最大好处在于能够以纳米级分辨率层积各种纳米材料，石墨烯电极使得层积的纳米材料有很好的取向和密度。 ;xRyONt  
在石墨烯上层积纳米材料不失为一种跨越摩尔定律的好方法。 "