介绍
_v[gJ(F ,!O]c8PcU 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
r$:hiE@ 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
R=2"5Hy= 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
)g?ox{Hol 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
|LR Ab#F\ !]3kFWs 
_l DNYpv K&VMhMVb [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
=w!2R QB [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
!k Heslvi :K~sazs7J 3D FDTD仿真
9m.MGJbQ_f &+0?Xip{Z 要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
e3m FO + 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
#-i#mbZ e 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
6p9 { z42 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
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lc 3N i<3v @\r2%M- 
;F_P<b 2 GExr] 2r 仿真结果
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g[*" LOw <#wVQ\0C 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
zGdYk-H3TH 0(>3L : 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
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* W^7yh&@lU 
p~ NHf\ )PkW,214# （来源：讯技
光电）
