介绍
.v
#0cQX+. /H\^l.|vk 要
模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
E5Snl#Gl\0 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
=#POMK".6 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
~
X]"P4 u 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
;9!yh\\ V\k5h 
( ?*mh? 26('V `N [1] Jaime Cardenas, et al., “High Coupling Efficiency Etched Facet Tapers in Silicon Waveguides,” IEEE Phot. Tech. Lett. VOL. 26, NO. 23, 2380-2382 (2014)
$.r}g\43P [2] Vilson R. Almeida, et al., "Nanotaper for compact mode conversion," Opt. Lett. 28, 1302-1304 (2003);
d FI.`pB n7`.<*:
3D FDTD仿真
Gpxb_}P C$2o
o@
要模拟的关键部件是来自参考文献[1]的线性锥形硅波导（160 nm至500 nm宽度变化超过100 um长度，250 nm高度），它埋在二氧化硅波导中（注意：使用的尺寸减小了（1.5 umx1.5 umx105 um），以便达到更快的模拟时间）
?v )"%. 为了精确模拟线性锥形硅波导，锥形的网格尺寸应该要设置密度大一些，因此在这种情况下使用不均匀的网格。
T_(e(5 光源在时域中设置为CW（λ= 1.55 um），在空间域上设置为高斯横向分布，并且位于二氧化硅波导的硅纸尖端。
Fu1|b2B-x 注意：模拟时间应足够长，以确保稳态结果
Tg <>B )'K!)?&d 
k<j)?_=` D:6x*+jah) 
_ Sk< S \DcC1W 仿真结果
K;ry4/Vap ?Qo_
KQ%sn 
X( 'Q;^` -?%{A%' 顶视图展示了锥形硅波导的有效
耦合。
"u,~ yxYWl 8ZNd|\ 底部视图显示了不同位置的模式转换（左：25 um，中间：65 um，右：103 um）
d9[6kQ] rvoS52XG, 
vUIK4uR. 6M<mOhp@}n （来源：讯技
光电）
