实验八 真空蒸发镀膜 h<!khWFS
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真空镀膜属于薄膜技术和薄膜物理范畴,广泛应用在电真空,电子学、光学、能源开发、现代仪器、建筑机械、包装、民用制品、表面科学、以及原子能工业和空间技术中。它可以用来镀制微膜组件,薄膜集成电路,半导体集成电路等所需的电学薄膜;光学系统中需要的反射膜,透设膜,滤光膜等各种光学薄膜;轻工业产品的烫金薄膜等等。由于真空镀膜技术的迅速发展,从而使电子计算机的微型化成为可能,促进了人造卫星,火箭和宇航技术的发展。 @pEO@bbg>
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所谓真空镀膜就是指在真空中将金属或金属化合物沉积在基体表面上。从技术角度可分为40年代开始的蒸发镀膜,溅射镀膜和70年代才发展起来的离子镀膜。束流沉积等四种。真空镀膜能在现代科技和工业生产中得到广泛应用,主要在于它具有以下的优点:①它可用一般金属(铝,钛等)代替日益缺乏的贵重金属(金,银)并使产品降低成本,提高质量,节省原材料。②由于真空分子碰撞少,污染少,可获得表面物理研究中所要求的纯净,结构致密的薄膜。③镀膜时间和速度可准确控制,所以可得到任意厚度均匀或非均匀薄膜。④被镀件和蒸镀物均可是金属或非金属,镀膜时被镀件表面不受损坏,薄膜与基体具有同等的光洁度。 [f0oB$
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本实验通过镀铝反射境要达到的目的是:掌握真空蒸发镀膜的原理和操作方法;熟悉金属和玻璃片的一般清洗技术;了解薄膜厚度的光学干涉法测量方法。 , L AJ
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1预习提要 Q'%5"&XFD
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真空镀膜是以气体分子动力学为理论基础的技术性强的实验。实验前应复习在高真空高温下固体蒸发的有关知识。预习首先要阅读本书“真空基础知识”部分,掌握本实验所用的真空泵(机械泵,扩散泵),真空计(热偶计,电离计)的原理和使用方法。然后在熟读本实验时,要着重掌握真蒸发镀膜的原理和实验装置的结构;熟悉金属元件 和玻璃片的清洗技术;了解薄膜厚度的光学干涉法测量原理和方法。在初步掌握上述知识和技能的基础上,根据实验内容要求要自拟实验步骤和操作程序,熟练掌握在试验中提高薄膜质量的操作技巧. UVQ a
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2实验原理 3R$CxRc:
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2.1真空蒸发镀膜原理 ~_^o?NE,
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任何物质在一定温度下,总有一些分子从凝聚态(固态,液态)变成为气态离开物质表面,但固体在常温常压下,这种蒸发量是极微小的。如果将固体材料置于真空中加热至此材料蒸发温度时,在气化热作用下材料的分子或原子具有足够的热震动能量去克服固体表面原子间的吸引力,并以一定速度逸出变成气态分子或原子向四周迅速蒸发散射。当真空高度,分子自由程 远大于蒸发器到被镀物的距离d时(一般要求 ,材料的蒸气分子在散射途中才能无阻当地直线达到被镀物和真空室表面。在化学吸附(化学键力引起的吸附)和物理吸附(靠分子间范德瓦尔斯力产生的吸附)作用下,蒸气分子就吸附在基片表面上。当基片表面温度低于某一临界温度,则蒸气发分子在其表面发生凝结,即核化过程,形成“晶核”。当蒸气分子入射到基片上密度大时,晶核形成容易,相应成核数目也就增多。在成膜过程继续进行中,晶核逐渐长大,而成核数目却并不显著增多。由于(1)后续分子直接入射到晶核上;(2)已吸收分子和小晶核移徒到一起形成晶粒;(3)两个晶核长大到互相接触合并成晶粒等三个因素,使晶粒不断长大结合。构成一层网膜。当它的平均厚度增加到一定厚度后,在基片表面紧密结合而沉积成一层连续性薄膜。 <^X'f
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在平衡状态下,若物质克分子蒸发热 与温度无关,则饱和蒸气压 和绝对温度T有如下关系: :6Pc m3
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(4.2.1) >stVsFdV)
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式中R为气体普适常数,K为积分常数。 I}]@e^ ~
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在真空环境下,若物质表面静压强为P,则单位时间内从单位凝聚相表面蒸发出的质量,即蒸发率为 "3KSmb
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(4.2.2) r{N{!"G
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式中 为蒸发系数,M为克分子量,T为凝聚相物质的温度。 p9] 7g%
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若真空度很高( )时蒸发的分子全部被凝结而无返回蒸发源,并且蒸发出向外飞行的分子也没有因相互碰撞而返回,此时蒸发率为 q MT.7n:
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(4.2.3) K1wN9D{t'
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根据数学知识从(3)式可知,提高蒸发率 主要决定于上式指数因式,因而温度T的升高将使出蒸发率迅速增加。 1j)!d$8
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在室温 ,气体分子直径 时,由气体分子动力学可知气体分子平均自己程 可表示为 J7xT6Q=
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(4.2.4) H*
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式中k为波尔兹曼常数,n为气体分子密度。气体压强P为帕时, 的单位为米。根据(4.2.4)式可列出表4.2-1。 "VVR#H}{
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从表中看出,当真空度高于 帕时, 大于50cm;在蒸发源到被镀物d为15~20cm情况下是满足 。因此将真空镀膜室抽至 帕以上真空度是必需,方可得到牢固纯净的薄膜。 8iH;GFNJ7'
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表4.2-1 ~aR='\<