[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 >!%+)  
t?h\Af4Tf  
一. 半导体激光器的基本结构 6<{SbE|G{  
•1.半导体双异质结构 jKp79].  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) h{?cs%l

Z  
•3. 侧模控制(基侧模) d Z
xrIWx  
•4.横模控制 sg4TX?I   
•5. 动态单模半导体激光器 !0Eo9bU%@  
•6. 波长可调谐半导体激光器 %( #kJZ  
•7.长波长VCSEL的进展 isor%R!  
•8.微腔激光器和光子晶体 =&y6mQ  
•9.半导体激光器材料的选择 ;bkvdn}  
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二.半导体光波导 3W55m@w  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 imZ"4HnPP  
•2. 光限制因子和模式增益 !z"nJC  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 IV|})[n*  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 u
ex([;y  
•5. DFB激光器的藕合模理论 oC|']r6  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 SD]rYIu+  
•7. 等效折射率近似 !^qpV7./l  
•8. 数值模拟 \'>d.'d  
e{}vT$-  
三.半导体中的光跃迁和增益 JO&+W^$uY}  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 /`b`ai8`8  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 SH;:bLk_  
•3.简约态密度及增益谱 B\6%.R  
•4.模式的自发辐射速率 NkYC(;g  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 C*Wyw]:r  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 HD;l1W)  
•7.增益谱峰值的近似表达式 UI74RP  
Z1R{'@Y0Z  
四. 速率方程和动态效应 {hBnEj^@  
•1．单模速率方程及基本物理量 'b Kc;\  
•2．稳态输出 ,`ju(ac!  
•3. 共振频率和3dB带宽 8RU91H8fE  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 -5MQ/ujQ  
•5. 开启延迟时间 [*^rH:  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 k:*vD"  
•7. 自发辐射引起的噪声 ]w~ECP(ap  
•8. 相对强度噪声 eOs4c`  
•9. 模式线宽 v6O5n(5,,  
•10. 多模速率方程 l#rr--];  
`W'S'?$  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 q;9OqArq  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 `WlQ<QEi  
3.激光器寿命 HKG8X="  
4.激光器阈值电流的温度特性 &eWnS~hJ  
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