半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下,大家可以看看,是中科院的资料。 jLVl4h&
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一. 半导体激光器的基本结构 #ToK$8
•1.半导体双异质结构 !36]ud&
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) `ldz`yu6++
•3. 侧模控制(基侧模) hpbf&S4
•4.横模控制 Fke//- R
•5. 动态单模半导体激光器 B4H!5b
•6. 波长可调谐半导体激光器 zw@'vncc
•7.长波长VCSEL的进展 EG<s_d?
•8.微腔激光器和光子晶体 X` YwP/D
•9.半导体激光器材料的选择 L"+$Wc[|
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二.半导体光波导 Tl("IhkC
•1. 平板波导的模式,TE和TM模 ef"?|sn
•2. 光限制因子和模式增益 $iw%(H
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 QO;4}rq
•4. 半导体激光器镜面反射系数 `)$_YZq|SR
•5. DFB激光器的藕合模理论 b7:0#l$
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 N:5[,O<m_
•7. 等效折射率近似 6sfwlT
•8. 数值模拟 }Fb!?['G5
dFXc/VH')
三.半导体中的光跃迁和增益 Q;/a F`
•1. 费米分布函数及跃迁速率 9WG{p[
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元 9)dfL?x8V{
•3.简约态密度及增益谱 UK[v6".^h
•4.模式的自发辐射速率 aptY6lGv-|
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 G=9d&N
•6.能带,跃迁矩阵元和增益谱数值结果 gXFWxT8S
•7.增益谱峰值的近似表达式 }?@5W,
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四. 速率方程和动态效应 \_6OC Vil
•1.单模速率方程及基本物理量 +>f<EPGn
•2.稳态输出 HfNDD|Zz
•3. 共振频率和3dB带宽 #\rwLpC1u
•4. 载流子输运效应对带宽影响 k=ytuV\
•5. 开启延迟时间 3(E
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•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 IZ,oM!Y
•7. 自发辐射引起的噪声 !RvRGRSyF
•8. 相对强度噪声 B^ 7eo W
•9. 模式线宽 I3b"|%
•10. 多模速率方程 RzKb{>
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五.半导体激光器的基本工艺和特性 8T[
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1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 *Nb#W!
3.激光器寿命 6 ,ANNj
4.激光器阈值电流的温度特性 bzpFbfb
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