[分享]半导体激光器的设计和工艺（中科院）分享 [复制链接]

半导体激光器的设计和工艺内容与章节如下，大家可以看看，是中科院的资料。 fWx %?J  
ze<Lc/;X~  
一. 半导体激光器的基本结构 i+$G=Z#3E  
•1.半导体双异质结构 }7>r,  
•2.Fabry-Perot谐振腔(纵模) R^
PPgE6!$  
•3. 侧模控制(基侧模) S`oADy  
•4.横模控制 lLO|,  
•5. 动态单模半导体激光器 gBzg'Z  
•6. 波长可调谐半导体激光器 [*<F   
•7.长波长VCSEL的进展 .5ap9li]  
•8.微腔激光器和光子晶体 *{qW7x.6h  
•9.半导体激光器材料的选择 o5UM)g  
hjVct r  
二.半导体光波导 Zl69d4vG  
•1. 平板波导的模式，TE和TM模 I%]~]a  
•2. 光限制因子和模式增益 R36BvW0X  
•3. 一维多层波导结构(VCSEL)光场分布 "+oP((9  
•4. 半导体激光器镜面反射系数 )[d?&GK  
•5. DFB激光器的藕合模理论 l^ P[nQDH  
•6. DFB半导体激光器的一维模拟 (!72Eaw:]  
•7. 等效折射率近似 'D ,efTq  
•8. 数值模拟 si:p98[w  
"HCJ!  
三.半导体中的光跃迁和增益 >wz&{9ni  
•1. 费米分布函数及跃迁速率 tC0:w,C)  
•2. 电子波函数及跃迁矩阵元
"P)f,n  
•3.简约态密度及增益谱 LU
Gyc( h  
•4.模式的自发辐射速率 Zl5cHejM  
•5.应变量子阱的能带和增益谱数值结果 I}djDtJ  
•6.能带，跃迁矩阵元和增益谱数值结果 O)y|G%O  
•7.增益谱峰值的近似表达式 A"(XrL-pV  
&cDLSnR  
四. 速率方程和动态效应 qPEtMvL #  
•1．单模速率方程及基本物理量 J#h2~Hz!  
•2．稳态输出 Aofk<O!M  
•3. 共振频率和3dB带宽 D=hy[sDBw  
•4. 载流子输运效应对带宽影响 y0!-].5UH  
•5. 开启延迟时间 pCXceNFo  
•6. 线宽增宽因子和动态频率啁啾 ]ZV.@%+  
•7. 自发辐射引起的噪声 KxyD{W1  
•8. 相对强度噪声 ^P4q6BW  
•9. 模式线宽 zX{O"w  
•10. 多模速率方程 Wpgp YcPS  
0(!j]w"r3  
五.半导体激光器的基本工艺和特性 b-Q*!Ut  
1.半导体激光器的工艺过程2.激光器微分特性 Akar@wh  
3.激光器寿命 BE`{? -G  
4.激光器阈值电流的温度特性 ]mDsd*1  
c/:d$o-  
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