1. 背景知识
v#c'p^ T 光学薄膜泛指在器件表面用物理化学等方法沉积，利用光的干涉现象以实现增透、高反射、滤光、分光等光学现象。例如采用减反射膜后可使复杂的光学
镜头的光通量损失成十倍地减小；采用高反射比的反射镜可使
激光器的输出功率成倍提高；利用光学薄膜可提高
太阳能电池的效率和稳定性。
>}? jO B 2. 设备能力
5 nF46c OTFC-900型自动高精度光学薄膜
镀膜机是一种通用型的高档光学镀膜设备，适用从于从紫外到红外各种光学
玻璃和晶体上镀制减反射膜,高反射膜,分光膜和滤光膜及其它多层光学薄膜。
4} . PQ { XB0G7o%1 1） 真空室尺寸：直径900毫米，高度約1300毫米
M~+}ss 2） 排气性能
1K{u>T 粗抽真空：从大气压到50Pa真空，8分钟以内
{G. W? 极限真空：低于5.0E-5Pa
J PO'1 D) 恢复真空：15分钟之内达到8.0E-4Pa
Rxb ? SBa 漏气速率：低于5.0E-3Pa・L/sec
GBeWF-`B 3） 基板加熱特性
,=>Ws:j 最大设定温度: 350℃
X\4d|VJ?m 加热40分钟以内，能到达300℃
w.X MyHj 温度均匀性: 300℃±10℃(加热40分钟后)
xbqFek$/r 4） 电子枪/电源(JEOL制)
&X3G;x2; 电子枪（BS-60050EBS）：
RD6n1Wb(@ (10kW，270°偏转)
HKp|I%b]J 电压 -4～-10kV(连续可变)
`) y<X#[8 5） 坩埚
nw S @r 环形坩埚：φ302×φ228×H15mm环状、材质Cu
]w,:T/ Z} 15点坩埚：外径尺寸φ35×H17mm、材质Cu
}Wl m#t 6） 离子源
(;!92ct[? 离子流密度分布均匀；利用离子源进行基片清洁和辅助镀膜时，基片表面质量无损伤
\3"jW1Wb a) 射频离子源：（Optorun制：OIS-Four,10cm）
'Dn\.x^]1 栅网尺寸：10cm
WwUhwY1o!L 最大射频功率：600W（13.56MHz）
0Wkk$0h9 束電圧：100V～1500V
6C' W 最大束電流：500mA
%plu] ^Vy 离子流密度分布：±10%以内
|VX )S! 加速电压：100V～1000V
#B2a ? 标准导入气体量：氧气或氩气
=y^`yv 3 b) 射频中和器(Optorun制： RFN-1Af)
pl }nb Y 最大射频功率：150W（13.56MHz）
S2i*Li 最大中和電流：1500mA
ZWmS6?L. 标准导入气体量：氩气
o%yfR.M6$ 7） 光学膜厚监控
r=Tz++! 反射式膜厚计（Optorun制HOM2-R-VIS350A）
]J1oY]2~ 波長范围：350～1100nm
y`,;m#frT 波長精度：<±1nm
^%n]_[RUn4 波长分解能：标准6.5nm±1.0nm，546.1nm处
`' .;U=mF 波长再现性：±0.25 nm
'GI|
t 安定性：<±0.1%/h（点灯60分後,环境温度安定，波長500nm）
-=cxUDB 8） 水晶膜厚监控
Y1Q240 控制仪: XTC/3 （Inficon制）
hv0bs8h 水晶开始频率：6.0MHz
Wu~cy}\ 频率变化测定分解能：±0.028Hz
,B~5;/ | 测定时间间隔：0.25秒
:
E`7 8 n!- ]f.=P 3. 标准工艺
LD*XNcE 1) ITO
N_^PoX935O 2)太阳电池减反膜
;FGS(.mjlC {j6$'v )0 3)高反膜
U)[L KO1 f\;w(_ 4)截止滤光片
jn4|gQ =,b6yV+$D 5)UV-IRCUT
1oc@]0n 4Ei8G]O
$_ "T$LJ 1E 5．操作手册
< z#.J] 1) 目的
0QP=$X 在真空
系统中，利用电子束将坩埚中的源材料（介质）加热，使其蒸发，在基底表面形成均匀的薄膜。
" Tk, 2) 使用范围
wz.. 可装载六英寸基片6片；基底最高加温350℃；现有源材料：TiO2、SiO2、Ta2O5、ZrO2、Al2O3、MgF2、ZnS等
0q4P hxR`e 3) 注意事项
`?{6L# 1.开机前检查水电气是否正常
(%c&Km7K 2.清理真空室时务必盖上离子源与中和器的防护盖
bf=!\L$ 3.使用离子源结束后，需对中和器继续充Ar气使其冷却
v2IcDz`}7 4.禁止非授权操作人员执行开机和关机步骤
w@"Zjb s` 4) 准备工作
w`DcnQK' 1.基片清洗
:_,a%hb+8 2.补充源材料
9u)p9)^-.v 3.清理真空室
fH@ cC` 5) 操作步骤
@d5$OpL$% 1、开机
ihJ!]#Fbm 1.1 打开冷却水，N2气、压缩空气
O> N/6Z 1.2 打开总电源
2TG2<wqvE 1.3 打开UPS电源
mGDy3R90 1.4 点击触摸屏上的“PUMP DOWN/AUTO STOP”，设定开机时间，自动开
PR/>E60H 机，进行冷泵再生过程。
$Zr \$z2 2、放样
4{Q$^wD+. 2.1 清理真空室
kbL7Xjk 2.2 补充源材料
Ee_?aG
e& 2.3 检查是否需要更换光控片与晶控片
=0L%<@yA 2.4 放入样品
<FX ]n< 2.5 如需使用离子源，必须将保护盖拿出
'qUM 38 s 2.6 关真空腔门，运行“CHAMBER EXHAUST”，抽真空
[p' A?- 3、熔源与蒸发镀膜
,A &`W E 3.1 打开电脑，点击ACS图标，进入
软件操作界面
^q _wtuQ 3.2 在Melting中点击“select”，选择熔源程序
x+DETRLP 3.3 在process中点击“select”，选择镀膜程序
_Ss}dU9 3.4 如需使用离子源，在“Enable IBS Control”前打勾
kh@O_Q`j 3.5 依次打开离子源的AX-600III、AX-300、SOURCE DC、NEUTRALIZER
:_<&LO]Q DC、ION SOURCE CONTROLLER开关
y #C9@C 3.6 打开气体流量控制仪
q %j8Js 3.7 点击电脑上“Start”执行自动熔源、镀膜，结束后关闭离子源，顺序与
fW C(L s 3.5中相反，继续给中和器中充入N2一段时间
OLtXk 4、取样
M3elog: M 4.1 当基片温度降到80℃以下，点击触摸屏上的“CHAMBER VENT”，执
Rp;"]Q&b 行充气过程
7O8 @T-f+2 4.2 恢复到大气状态下，开腔室，先盖上离子源与中和器的保护盖，取样，
aS[y\9(** 清理真空室，进入到下一个循环。
ePZ Ai"k 5、关机
.T m.M7 5.1 点击触摸屏上的“AUTO STOP”自动关机
:IU<A G6 5.2 关闭UPS，总电源
JB%_&gX)v 5.3 关闭水、气
