led芯片的制造流程介绍

led芯片制造主要是为了制造有效可靠的低欧姆接触电极能满足可接触材料之间最小的压降及提供焊线的压垫，同时要满足尽可能多的出光。主要流程如图下：


镀膜工艺一般用真空蒸镀方法，其主要在1.33*10-4pa高真空下用电阻加热或电子束轰击加热方法使材料熔化在低气压下变成金属蒸气沉积在半导体材料表面，一般所用p型的接触金属的包括aube,auzn等，n面的接触金属常采用augeni合金，镀膜工艺中最常出现的问题是镀膜前的半导体表面清洗，半导体表面的氧化物，油污等杂质清洗不干净往往造成镀膜不牢，镀膜后形成的合金层还需要通过光刻工艺将发光区尽可能多露出来，使留下来的合金层能满足有效可靠的低欧姆接触电极，及焊线压垫的要求，正面最常用到的形状是圆形，对背面来说若材料是透明的也要刻出圆形如下图所示。


光刻工序结束后还要通过合金化过程。合金化通常是在h2或n2保护下进行。合金化的时间温度通常是根据半导体材料特性。合金炉形式等因素决定，通常红黄led材料中的合金化温度在350度到550度之间。合金化成功后半导体表面相邻两电极间的i-v曲线通常是成直线关系，当然若是半绿等芯片在电极工艺还要复杂要增加钝化膜生长，等离子刻蚀工艺等。
红黄led管芯切割方法类似于硅片管芯切割工艺。普通使用的是金刚砂轮刀片。其刀片厚度一般为25um。对于兰绿芯片工艺来说，由于衬底材料是al2o3要先用金刚刀划过以后掰裂的方法。
发光二极管芯片的检测的根据一般包括测试其正向导通电压，波长，光强，及反向特性等。
芯片成品包装一般包括白膜包装和蓝膜包装。白膜装一般是有焊垫的面粘在膜上，芯片间距也较大适合手动。蓝膜包装一般是背面粘在膜上。芯片间距较小适合自动机。