我国首款2Tb/s三维集成硅光芯粒成功出样

近日，国家信息光电子创新中心和鹏城实验室的光电融合联合团队完成了2Tb/s硅光互连芯粒（chiplet）的研制和功能验证，在国内首次验证了3D硅基光电芯粒架构，实现了单片最高达8×256Gb/s的单向互连带宽。

该团队在 2021 年 1.6T 硅光互连芯片的基础上，进一步突破了光电协同设计仿真方法，研制出硅光配套的单路超 200G driver 和 TIA 芯片，并攻克了硅基光电三维堆叠封装工艺技术，形成了一整套基于硅光芯片的3D芯粒集成方案。

硅光互连芯粒的侧向显微镜结构

经系统传输测试，8个通道在下一代光模块标准的 224Gb/s PAM4光信号速率下，TDECQ均在2dB以内。通过进一步链路均衡，最高可支持速率达8×256Gb/s，单片单向互连带宽高达2Tb/s。

成果将广泛应用于下一代算力系统和数据中心所需的 CPO、NPO、LPO、LRO 等各类光模块产品中，为国内信息光电子技术的率先突围探索出可行路径。