研究人员找到新方法提升绿光LED亮度和效率

伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授Can Bayram发展出一种新的方法，提升绿光LED亮度并且提高其效率。

使用产业内标准的半导体长晶技术，研究人员在硅基板上制造氮化镓(GaN)晶体，这种晶体能够产生高功率的绿光，应用于固态照明。

伊利诺大学的电气与计算机工程系助理教授Can Bayram表示：“这是一个具有突破性的制程，研究人员成功在可调式的CMOS硅制程上生产新的原料，也就是方形氮化镓 (cubic GaN)，这种原料主要用于绿色波长射极。”

将半导体用于感测以及通讯能够打开可见光通讯的应用，而光通讯正是彻底改变光应用的技术。支援CMOS制程的LED能够达到快速、高效率、低功率且多重应用的绿光LED同时能够省下许多制程装置的费用。

通常GaN形成一至两种晶体结构，六方形或立方体。六方形GaN为热稳定，且是传统半导体的应用。不过，六角形GaN较容易出现偏振现象，内部的电场将负电子与正电子分开，防止他们结合，因此而造成光输出效率下降。

截至目前为止，研究人员只能使用分子束外延(Molecular beam epitaxy)制造方形GaN，这样的制程非常昂贵且与MOCVD制程相较之下非常费时。

研究人员成功在可调式的CMOS硅制程上生产新的原料，也就是方形氮化镓 (cubic GaN)，这种原料主要用于绿色波长射极。

Bayram表示：“微影技术(lithography)以及等向性蚀刻技术在硅上制造U行凹槽。这层非导电阻隔层扮演了将六角形塑型至方形的关键角色。我们的GaN没有内部的电场能够隔开电子，因此，可能会发生重叠问题，电子和凹洞更快速结合并制造光线。”