我国在介质复合衬底上取得突破或改写LED芯片竞争格局

上海蓝光经过多年的研发攻关，近日在介质复合衬底上取得重大突破。通过缓冲层与介质衬底的组合技术，各项参数达到或超过目前最优的PSS蓝宝石衬底方案，完全可以取代目前的昂贵的蓝宝石PSS衬底方案，并且可以突破现有的PSS衬底及两步生长法两项重大基础专利的封锁。

从2006年开始，日本日亚化学(Nichia)、丰田合成(Toyoda Gosei)、美国CREE公司、飞利浦(Philips Lumileds)和德国的欧司朗(OSRAM)五大巨头及韩国的三星、LG，台湾的晶电、亿光等企业之间的专利诉讼持续不断，如日亚与亿光的专利诉讼自2006年至今未停止。同时他们之间又通过专利授权和交叉授权来进行来形成团体优势，对后续进入者形成了更高的门槛。这其中除2008年2月和8月两次“337调查”中涉及大陆企业，其他诉讼中暂未涉及大陆企业。随着大陆产能的急剧扩张和产品竞争力的不断增强，针对大陆企业的专利诉讼一触即发，虽然国内部分企业通过收购或入股国外或台湾企业，但其实并未掌握起决定作用的几个核心基础专利，对现有主流产品的专利保护相当脆弱。PSS衬底专利及两步生长法专利都是目前LED专利中非常重要的基础专利，掌握在日亚等国际大厂中。目前国内的MOCVD保有量已经达到全世界40%以上，但所有的GaN基LED都用到两步生长法，所有的白光LED全部用到PSS衬底，即国内的LED芯片都存在专利侵权的风险。

该项技术的突破，必将极大的推动国内LED外延芯片原始创新技术及产业的快速健康发展，极有可能改写目前国际LED芯片行业的竞争格局。