中科院微电子所在22纳米关键工艺技术研究上取得突破

中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心（以下简称先导工艺研发中心）通过4年的艰苦攻关，在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上，实现了重要突破，在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs，器件性能良好。

由于这一工作采用了与工业生产一致的工艺方法和流程，具备向产业界转移的条件，因而对我国集成电路产业的技术升级形成了具有实际意义的推动作用。同时，该先导工艺研发中心建成了一个能够开展22纳米及以下技术代研发的工艺平台。

这标志着，我国也加入了高端集成电路先导工艺研发的国际俱乐部。

优势互补 “穿插侦察”齐上阵

4位“千人计划”、5位中科院百人计划，30多位工业界核心的工程师团队……先导工艺研发中心拥有这样一支令人艳羡的国际化研发团队。

“我们整个项目团队在构架上做得比较好。海归跟本土团队结合得水乳 交融，形成优势互补。”该中心主任赵超表示。

2009年，在国家科技重大专项02专项的支持下，微电子所成团队引进了一大批海归，建成了拥有200多名研发人员的集成电路先导工艺研发中心。

杨世宁、朱慧珑、赵超、闫江4位“千人”在磨合中迅速形成优势互补的决策团队，在4年艰苦的攻关中拧成一股绳，打出了漂亮的短传配合。

例如，杨世宁原是中芯国际的首席运营官，现任中科院微电子所所长执行顾问一职。他具有非常丰富的产业化运营经验，是一个“会做减法的人”，能始终把握主干，而将枝枝叶叶修剪掉，使项目迅速有效率地直奔目标。

先导工艺研发中心的首席科学家和项目首席专家朱慧珑，是来自IBM的引领发明家和发明大师，主要负责整体技术路线的制定和布局，在器件物理、工艺研发、TCAD和知识产权布局等发挥主导作用。他身先士卒，在项目中完成了200多项专利申请。

赵超曾在世界著名的研发中心IMEC从事了10多年研发工作，其研发领域涵盖集成电路前道工艺和后道工艺，对8英寸、12英寸工艺线上多个技术代工艺研发有较全面的经验。

2011年，他受命担任先导工艺研发中心主任一职，负责中心的行政领导工作；同时，作为项目的副首席专家，他负责工艺平台的建设工作，对研发中心整体建设付出了大量的艰苦劳动。

闫江则拥有在英飞凌公司美国研发部10年的工业界研发经验。他曾参与和负责了从90纳米、65纳米、45纳米和32纳米技术代的产品研发项目。作为项目的副首席专家，他负责工艺整合子课题的领导工作，带领着30多名工程师冲锋在第一线。

对于先导工艺研发中心的使命，几位“千人计划”专家有着一致的认识：“我们是国家集成电路工艺研发战役中的‘穿插部队’和‘侦察部队’”。

朱慧珑解释道：“穿插部队的特点和任务就是：一要效率高，二要能占领战略要地。”先导工艺研发中心作为穿插部队，它的一个优势就是快速、灵活，可以先于工业界的“大部队”插入敌后，并用专利布局的方法占领与其投入相称的战略要地。

压力山大 时间节点见真章

“4年之前，对22纳米项目能否成功有着各种各样的猜测。对此，我们非常理解，毕竟这是一个难度极大的项目。”赵超说。

在此之前，我国曾有过几次建设集成电路研发中心的努力，但都没有达到预期战略目标。面对国家数亿元的大投入和高期待，以及业界同行们的高度关注，几位“千人计划”专家承受着巨大压力。

“做这项大工程，我们有一两年都睡不好觉，‘压力山大’啊！”赵超在回忆道，“你能明显感到别人质疑的目光，却无法解释。我们真有点像挖山的愚公，只能希望用劳作来感动上天。”

在2012年4月，当第一个验证工艺设备器件研制出来时，团队所有人都挤在那小小的示波器前等待结果。