中科院微电子所在22纳米关键工艺技术研究上取得突破
中国科学院微电子研究所集成电路先导工艺研发中心通过4年的艰苦攻关,在22纳米关键工艺技术先导研究与平台建设上,实现了重要突破,在国内首次采用后高K工艺成功研制出包含先进高K/金属栅模块的22纳米栅长MOSFETs。
当在看到验证的原理器件出来的那一刹那,在场的所有人都“眼泪汪汪”的。 这项工程不仅面临着从无到有的技术难度,还面临着几乎不可能完成的时间节点。 由于资金等现实问题,闫江的工艺整合集成子课题的完成时间被迫由两年时间缩短至7个月。 为了保证任务按时完成,闫江要保证每批次的流片实验一次成功。为此,他与工艺线上的30多位工程师每天仔细地检测各个工艺步骤是否符合设定的特性,将差错的苗头消灭在第一时间,保证每一步流片的质量。 在7个月内,线上的工程师一度24小时连轴转,片子从这个机台出来就被抱着跑向下一个机台。就这样,他们用15天跑完了全程近300道工艺步骤的流程,达到工业界研发的最快速度。 最终,6个批次的流片实验全部一次成功,团队按时完成了工艺整合集成的项目任务。 拉长战线 为转化生产作铺垫 在谈到团队建设时候,海归们不约而同地提到微电子所所长叶甜春。 这批海归以及从国内遴选出来的精兵强将,都是叶甜春一个一个挖来的,有的甚至是在别人的招聘会场上“劫来的”。 专家们表示,加盟团队的一个重要原因正是因为叶甜春的感召力。微电子所副所长陈大鹏是先导工艺研发中心的奠基人和研究所人才战略最直接的执行者。经他之手,一个一个海归加入团队,开始发挥各自聪明才智的创业进程。 正是这一广揽人才的做法,带来了科研理念更新和科研模式质的改变。例如,朱慧珑带来了专利先行的思想,并为项目结出丰硕成果。先导工艺研发中心在项目过程中建立了自主知识产权带动的科研模式,始终坚持“专利先行”的战略。 “过去,我国在知识产权建设上没有合理的战略布局,我们辛辛苦苦研发的技术早就被别人申报了专利。这样,即使有自主研发,也做不到自主知识产权。”赵超感叹道。 在该项目的执行过程中,微电子所与北京大学、清华大学、复旦大学以及中科院微系统所的联合项目组完成了1369项专利申请,其中包括424项国际专利申请,为我国在集成电路领域掌握自主知识产权、取得国际话语权奠定了基础。 先导工艺研发中心坚持“通过做项目锤炼团队”的原则,建设成一个在科研人员、科研条件上堪称国际水平的平台。 “通过这个项目,我们可以呈现给国家一支研究力量,而不单单是完成一项科研工作。”赵超如是说。 建成的平台对后续项目发展起到非常重要的作用,现在,中心正在着手开展16/14纳米技术的研发。 “我们现在进展得非常顺利,在跑步追赶,差距不断缩小。”赵超表示。现在,先导工艺研发中心的研发效率和质量管理系统都是工业化标准的,得到工业界研发伙伴的充分认可。 同时,项目对国家科技重大专项其他课题和整个产业链起到了直接的支撑作用。“我们完成了专项交付的各项战略任务。”赵超表示,“研发中心不仅在先导工艺技术研发上起到国家队的作用,同时成为国产半导体装备和材料的验证基地、集成电路工程技术人才的培养基地和该领域的国际交流基地。” 下一步,该中心将加入专项部署的更大规模的“战役”,把先导技术转化成工业生产技术,为国家集成电路产业发展作出更多贡献。 |
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