光电二极管特性及参数介绍

1.电压·电流特性。
光电二极管的电压—电流特性在无光照时，它的特性与一般二极管一样。受光后，它的特性曲线沿电流轴向下平移，平移的幅度与光照强度成正比例。特性曲线在第三象限时，表达了管子在加有反向电压并受光照时的反向特性。此特性表明：
a.反向电流随入射光照度的增加而增大，在一定的反向电压范围内，反向电流的大小几乎与反向电压高低无关。 
b.在入射照度一定时，光电二极管相当于一个恒流源，其输出电压与负载电阻增大而升高。如只R1～>R2，则输出电压URl>Uc，其中URl=Uc—Ul，UR2=Uc—U2。特性曲线在第四象限时，它呈光电池特性，光照强度越大，负载电阻越小，电流越大。即R1>R2时，则I2>I1。
2.反向工作电压UR。
在无光照时，光电二极管中反向电流≤0．2—0．31μA时，允许的最高反向电压一般不大于10V，最高可达50V。
3.暗电流ID。
在无光照时，加一定反向电压时的反向漏电流与暗电流。通常在50V反压下的暗电流小于100nA。
4.光电流IL。
在受到一定光照及一定反压条件下，流过管子的电流为光电流。一般光电流为几十μA，并且与照度成线性关系。
5.光谱响应特性。
硅光电二极管的光谱范围为400～1100nm，其峰值波长为880～900nm，这与GaAs红外发光二极管的波长相匹配，可获得较高的传输效率。