大功率LED封装介绍

2.3陶瓷底板倒装法：
 
 先利用LED晶片厂通用设备制备出具有适合共晶焊接电极结构的大出光面积的LED芯片和相应的陶瓷底板，并在上制作出共晶焊接导电层及引出导电层。之后利用共晶焊接设备将大尺寸LED芯片与陶瓷底板焊接在一起。（这样的结构考虑了出光问题也考虑到了散热问题，并且采用的陶瓷底板为高导热陶瓷板，散热的效果非常理想，价格又相对较低所以为目前较为适宜的底板材料，并可为将来的集成电路化一体封装伺服电路预留下了安装空间）
 
 2.4蓝宝石衬底过渡法：
 
 按照传统的InGaN芯片制造方法在蓝宝石衬底上生长出PN结后将蓝宝石衬底切除再连接上传统的四元材料，制造出上下电极结构的大尺寸蓝光LED芯片。
2.5AlGaInN/碳化硅（SiC）背面出光法：
 
 美国Cree公司是采用SiC衬底制造AlGaInN超高亮度LED的全球唯一厂家，几年来AlGaInN/SiCa芯片结构不断改进，亮度不断提高。由于P型和N型电极分别仅次于芯片的底部和顶部，单引线键合，兼容性较好，使用方便，因而成为AlGaInN LED发展的另一主流。
 
 三、基础封装结构
 
 大功率LED封装中主要需考虑的问题有两个：散热与出光。
 序号 材质 导热系数/λW（m.K）
 01 碳钢（C＝0.5-1.5） 39.2-36.7
 02 镍钢（Ni=1%-50%） 45.5-19.6
 03 黄铜 (70Cu-30Zn) 109
 04 铝合金(60Cu-40Ni) 22.2
 05 铝合金(87Al-13Si) 162
 06 铝青铜(90Cu-10Al) 56
 07 镁 156
 08 钼 138
 序号 材质 导热系数/λW（m.K）
 09 铂 71.4
 10 银 427
 11 锡 67
 12 锌 121
 13 纯铜　 398
 14 黄金 315
 15 纯铝 236
 16 纯铁 81.1
 17 玻璃 0.65-0.71