摘要：采用
离子束溅射制备了AlF3、GdF3单层膜及193 nm减反和高反膜系，分别使用分光光度计、原子力
显微镜和
应力仪研究了
薄膜的
光学特性、微观
结构以及残余应力。在优选的沉积
参数下制备出消光系数分别为1.1×10-4和3.0×10-4的低损耗AlF3和GdF3薄膜，对应的
折射率分别为1.43和1.67，193 nm减反膜系的透过率为99.6%，剩余反射几乎为零，而高反膜系的反射率为99.2%，透过率为0.1%。应力测量结果表明，AlF3薄膜表现为张应力而GdF3薄膜具有压应力，与沉积条件相关的低生长应力是AlF3和GdF3薄膜残余应力较小的主要原因，采用这两种
材料制备的减反及高反膜系应力均低于50 MPa。针对平面和曲率半径为240 mm的凸面元件，通过设计修正挡板，250 mm口径膜厚均匀性均优于97%。为亚
纳米精度的平面元件镀制193 nm减反膜系，
镀膜后RMS由0.177 nm变为0.219 nm。
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