近日澳大利亚卧龙岗大学(University of Wollongong)的研究者在《科学进展》期刊上撰文宣称成功的解决了其中一项难题:如何从基质上将硅烯快速剥下来。硅烯牢固地生长在金属基质上,又非常薄,使用机械方法很难剥离。新技术的关键是将氧分子掺杂到硅烯的下层中,有效地将上层的硅烯和金属基质分离。
研究者利用了扫描隧道显微镜所提供的超真空环境,氧分子流在其中不受阻碍,可以精确地控制其注入所需的位置。
研究者认为这项技术有助于将来设计和制作基于硅烯的纳米电子器件和自旋电子器件。
硅烯材料制取取得突破
peanuto 写道 "人们对于二维材料的兴趣,恐怕没有哪种可以跟硅的二维版本—“硅烯”相提并论。硅烯的吸引力显而易见:50多年来,硅材料承载了计算机技术的蓬勃发展, 而它在元素周期表上性质与之相近的碳的二维版本石墨烯所表现出的性能又那么神奇,这些都足以让科学家摩拳擦掌,跃跃欲试。硅烯与石墨烯不同,其内禀的阻带 特性,使得它更适合应用于需要电流通断的数字电路中。
另外,硅作为半导体材料所具有的诸如超导性等特性使得硅烯更加引人注目—当然,这取决于人们是否能解决制造方面的难题—硅烯是出了名的难以制造。 分享到:
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