中科院半导体研究所2016年度招聘

发布:200833 2015-12-01 19:16 阅读:1601
1956年,在我国十二年科学技术发展远景规划中,半导体科学技术被列为当时国家新技术四大紧急措施之一。为了创建中国半导体科学技术的研究发展基地,国家于1960年9月6日在北京成立中国科学院半导体研究所(以下简称半导体所),开启了中国半导体科学技术的发展之路。 %+;amRb  
半导体所拥有两个国家级研究中心——国家光电子工艺中心、光电子器件国家工程研究中心;四个国家重点实验室——半导体超晶格国家重点实验室、集成光电子学国家重点联合实验室、表面物理国家重点实验室(半导体所区)、半导体照明联合创新国家重点实验室;一个院级实验室——半导体材料科学重点实验室。此外,还设有半导体集成技术工程研究中心、光电子研究发展中心、材料科学重点实验室、高速电路与神经网络实验室、纳米光电子实验室、光电系统实验室、全固态光源实验室和半导体能源研究发展中心。并成立了图书信息中心,为研究所提供科研支撑服务。 Y9%zo~]-W'  
半导体研究所现有职工700余名,其中科技人员500余名,中国科学院院士7名,中国工程院院士2名。 X)c0 y3hk  
半导体所秉承“以人为本、创新跨越、唯真求实、和谐发展”的办所理念,奋斗不息,勇攀高峰,取得了快速发展,研究所已逐渐发展成为集半导体物理、材料、器件研究及其系统集成应用于一体的国家级半导体科学技术的综合性研究机构。 b"w2 2%  
根据半导体所发展需要,2016年度拟招聘科研岗位人员若干,欢迎有志献身半导体科学研究事业的人才加入到我们的队伍中来。 !HW?/-\,O  
一、招聘需求 e;"%h%'  
序号
部门
岗位
学历/学位
学科/专业/领域
是否应届生
1
超晶格室
半导体材料超快光谱实验研究
博士
凝聚态物理
2
超晶格室
高速图像信号处理
博士
微电子学或自动化
3
超晶格室
自旋电子学器件研究(器件制备,及性能测试分析)
博士
凝聚态物理
4
超晶格室
从事柔性半导体光电探测器的相关实验和工艺研究
博士
凝聚态物理
5
光电子中心
电子和光子芯片的研制,侧重波导器件、集成应用
硕士
光学工程
6
光电子中心
电子和光子芯片的研制,侧重波导器件、集成应用
博士
电子科学与技术
7
光电子中心
数字集成电路设计与面向生物医学应用专用集成电路研究
博士
微电子学与固体电子学
8
光电子中心
高速可见光通信技术研究(带宽拓展、复用技术)
博士
微电子学与固体电子学
9
光电子中心
可见光通信专用集成电路设计(驱动调制与单片集成接收芯片)
博士
微电子学与固体电子学
10
光电子中心
GaN材料与器件方面的研究
博士
微电子学与固体电子学
11
光电子中心
微波、光通信
本科
电子工程、通信工程、光电子技术
12
材料科学室
半导体金刚石材料生长和器件工艺
硕士以上
电子科学与技术类、材料科学与工程类等
13
材料科学室
半导体材料物理、器件物理、测试表征
博士
电子科学与技术类、材料科学与工程类等
14
材料科学室
研究组MOCVD设备运行操作与维护
本科
半导体、机械、自动控制
15
材料科学室
超净间以及相关工艺设备的运行操作与维护
本科
半导体、机械、自动控制
16
材料科学室
光电子集成器件设计、制作以及产业化工作
博士
光电子类
17
集成中心
工艺服务与设备维护
硕士以上
微电子相关
18
集成中心
MEMS器件制作与电路设计
博士
微电子相关
19
高速电路室
芯片、电路系统硬件设计或算法软件设计。
博士
电子科学与技术及相关专业
20
高速电路室
集成电路设计开发及应用测试。
硕士以上
微电子技术相关电子类专业
21
高速电路室
集成电路设计开发及应用测试。
本科以上
微电子技术相关电子类专业
22
纳米室
MBE外延生长和设备维护及外延材料测试工作
博士
凝聚态物理
23
纳米室
开展表面等离激元微纳光学物理和器件研究
博士
物理电子学
24
纳米室
半导体器件工艺
本科
物理类、电子科学类
不限
25
纳米室
半导体器件工艺
本科
物理类、电子科学类
不限
26
光电系统室
IF电路设计/模拟电路设计/数字电路/高频电路设计
硕士
电子科学与技术
27
光电系统室
DSP软硬件设计/雷达信号处理算法/软件设计
硕士
信号与信息处理
28
光电系统室
控制系统设计/嵌入式开发/工业自动化软件开发
硕士
控制科学与工程
29
光电系统室
远距离无线光通信
博士
电子科学与技术类;信息与通信工程类
30
光电系统室
可见光定位
博士
电子科学与技术类;信息与通信工程类
31
光电系统室
光电成像及干涉测量
硕士以上
计算机、电子电路、光学工程
应届生优先
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y>r^ MQ  
二、招聘方式及程序 c.>OpsF  
1. 应聘者须填写《中国科学院半导体研究所应聘申请表》,并以电子邮件方式发送至:zhaopin@semi.ac.cn。邮件标题及应聘申请表名称请注明“序号-生源地-学历-毕业院校-专业-姓名”(“生源地”的填写仅限应届生),举例:12-北京-硕士-清华大学-光学-张三。 ]*{tno  
2. 本招聘启事有效期至2015年11月20日。通过资格初审的应聘者参加面试,面试时间和地点将另行通知。初选不合格者不再另行通知。 7L]Y.7>  
8lCo\T5"  
三、联系方式 H4M`^r@)'  
地   址:北京市海淀区清华东路甲35号,中科院半导体所人事处 王老师 "9y 0]~  
邮   编:100083 `#j;\  
3YEw7GIO-  
附件下载>>>>中国科学院半导体研究所岗位应聘申请表.doc
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