为了满足超大规模集成电路的发展需要, 投影光刻技术得到了飞速发展, 投影光刻机分辨力的提高始终成为微光刻技术的核心问题。i 线和深紫外( 2 4 8n m ) 光学光刻与x 射线光刻相比就实现技术难点和实现成本而言, 已成为亚半微米微细图形制造工艺技术中的首选设备。然而靠增大数值孔径和缩短曝光波长提高实际分辨力是有限的, 这主要是由于焦深会随数值孔径的增大和波长的缩短而迅速减小, 在现有的半导体制作工艺水平下难以实现。为此, 寻求既不影响焦深又能提高分辨力的新方法已成为近年来人们研究的热点, 出现了诸如离轴照明, 移相掩模, 光瞳滤波, 表面成像和多焦面曝光等新技术。