在PMMA基底上镀AR膜系,905nm增透。 Xg,E;LSF8
基片经超声波中性洗剂清洗后,放在恒温箱中75℃,退火2h;在光驰机器中不加热,开离子源,真空抽至2E-3开始镀(Ta2O5/石英环)。 $`l- cSH;
出锅后,基片上的膜层就出现明显裂痕。 F P
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基片翻面放进机器,降低镀石英环的离子轰击能量,并在出锅后,直接放入恒温箱中75℃退火2h。结果是基片没有裂痕,但膜层一擦就掉。 VEb}KFyP
请教下各位,应该怎样有效的降低PMMA的内应力,工艺上有哪些不当的地方希望可以不吝言辞予以指正,谢谢!