科学家研发水分解材料保护层
在利用太阳能进行水分解的过程中,用于光吸收的材料(如硅、砷化镓)很容易受到水溶液的腐蚀而丧失原有功能。加州理工学院人工光合作用联合中心(JCAP)的研究人员近日宣布开发出一种方法,能够保护用于光吸收的半导体材料。
研究人员使用原子层沉积方法在单晶硅、砷化镓或磷化镓表面形成一层TiO2膜。其关键在于,这种TiO2是能够漏电的,这种“漏电TiO2”膜的厚度为4~143纳米之间,它能够在保持透明的前提下,保护半导体免受水溶液的腐蚀。 在TiO2的表层,研究人员沉积了一些100纳米厚的镍氧化物的“岛”,使其成为水分解过程的催化剂。 尽管该工作对于水分解反应中的氧化过程适用,但研究人员强调,尚无法得知是否能够使用较为廉价、简单的应用技术,如喷涂等方法将TiO2覆盖于半导体表面。而且,该团队的实验只在连续光照下进行了几百个小时,无法得知更长时间下的保护效果。 研究人员使用原子层沉积方法在单晶硅、砷化镓或磷化镓表面形成一层能够漏电的TiO2膜,这种“漏电TiO2”膜的厚度为4~143纳米之间,它能够在保持透明的前提下,保护半导体免受水溶液的腐蚀。 关键词: 半导体
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